气流混合对生长GaN∶Si膜性能影响的研究
기류혼합대생장GaN∶Si막성능영향적연구
Properties Dependence of GaN∶Si Films on Gas Flow Mixture
  • 万方数据
    光学学报 광학학보
    ACTA OPTICA SINICA
    2002年 2期 182-185 ,共4页

    莫春兰%李鹏%王立%熊传兵%彭学新%辛勇%姚冬敏%李述体%江风益

    막춘란%리붕%왕립%웅전병%팽학신%신용%요동민%리술체%강풍익

    GaN∶Si%金属有机气相沉积技术%黄带 GaN∶Si%金屬有機氣相沉積技術%黃帶
    GaN∶Si%금속유궤기상침적기술%황대
    用金属有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN∶Si膜.通过对样品的光电及结晶性能的分析,研究了气流混合时间不同对GaN∶Si膜性质的影响.结果表明:合理的Ⅲ、Ⅴ族气流混合对提高GaN∶Si膜的光电及结晶性能很重要.Ⅲ、Ⅴ族气流混合太早,气流混合时间长,GaN∶Si膜的黄带与带边发射强度之比较大,X射线双晶衍射半高宽较宽;Ⅲ、Ⅴ族气流混合太晚,尽管可减少预反应,但气流混合不均匀,致使GaN∶Si膜的发光性能及结晶性能变差.使用Ⅲ、Ⅴ族气流混合适中的反应管B生长,获得了光电及结晶性能良好的GaN∶Si单晶膜.
    용금속유궤화학기상침적기술재삼충불동형호적반응관중생장료GaN∶Si막.통과대양품적광전급결정성능적분석,연구료기류혼합시간불동대GaN∶Si막성질적영향.결과표명:합리적Ⅲ、Ⅴ족기류혼합대제고GaN∶Si막적광전급결정성능흔중요.Ⅲ、Ⅴ족기류혼합태조,기류혼합시간장,GaN∶Si막적황대여대변발사강도지비교대,X사선쌍정연사반고관교관;Ⅲ、Ⅴ족기류혼합태만,진관가감소예반응,단기류혼합불균균,치사GaN∶Si막적발광성능급결정성능변차.사용Ⅲ、Ⅴ족기류혼합괄중적반응관B생장,획득료광전급결정성능량호적GaN∶Si단정막.
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