GaAs基InAlAs/InGaAs MHEMT直流特性研究
GaAs기InAlAs/InGaAs MHEMT직류특성연구
DC Performance of GaAs-based InAlAs/InGaAs MHEMT
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2002年 2期 235-237 ,共3页

    李献杰%敖金平%曾庆明%刘伟吉%徐晓春%刘式墉%梁春广

    리헌걸%오금평%증경명%류위길%서효춘%류식용%량춘엄

    砷化镓%铟铝砷/铟镓砷%改变结构高电子迁移率晶体管 砷化鎵%銦鋁砷/銦鎵砷%改變結構高電子遷移率晶體管
    신화가%인려신/인가신%개변결구고전자천이솔정체관
    报道了用MBE技术生长的GaAs基InAlAs/InGaAs改变结构高电子迁移率晶体管(MHEMT)的制作过程和器件的直流性能.对于栅长为0.8 μm的器件,最大非本征跨导和饱和电流密度分别为350 mS/mm和190 mA/mm.源漏击穿电压和栅反向击穿电压分别为4 V和7.5 V.这些直流特性超过了相同的材料和工艺条件下GaAs基PHEMT的水平,与InP基InAlAs/InGaAs HEMT的性能相当.
    보도료용MBE기술생장적GaAs기InAlAs/InGaAs개변결구고전자천이솔정체관(MHEMT)적제작과정화기건적직류성능.대우책장위0.8 μm적기건,최대비본정과도화포화전류밀도분별위350 mS/mm화190 mA/mm.원루격천전압화책반향격천전압분별위4 V화7.5 V.저사직류특성초과료상동적재료화공예조건하GaAs기PHEMT적수평,여InP기InAlAs/InGaAs HEMT적성능상당.
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