稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2004年
5期
951-953
,共3页
单片集成电路%可变增益%赝配高电子迁移率晶体管
單片集成電路%可變增益%贗配高電子遷移率晶體管
단편집성전로%가변증익%안배고전자천이솔정체관
报道了一种栅压控制的宽带GaAs单片可变增益放大器芯片.该芯片采用Ф76 m圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.工作频率范围为2～8 GHz,栅压为零(或悬空)时,整个带内增益约14dB,输入输出驻波小于2.0,输出功率P1dB大于13dBm.通过改变栅压(可选),平坦增益可控范围13dB.该芯片体积为2.0 mm×1.8 mm×0.1 mm.
報道瞭一種柵壓控製的寬帶GaAs單片可變增益放大器芯片.該芯片採用Ф76 m圓片0.5 μm PHEMT標準工藝製作而成.工作頻率範圍為2～8 GHz,柵壓為零(或懸空)時,整箇帶內增益約14dB,輸入輸齣駐波小于2.0,輸齣功率P1dB大于13dBm.通過改變柵壓(可選),平坦增益可控範圍13dB.該芯片體積為2.0 mm×1.8 mm×0.1 mm.
보도료일충책압공제적관대GaAs단편가변증익방대기심편.해심편채용Ф76 m원편0.5 μm PHEMT표준공예제작이성.공작빈솔범위위2～8 GHz,책압위령(혹현공)시,정개대내증익약14dB,수입수출주파소우2.0,수출공솔P1dB대우13dBm.통과개변책압(가선),평탄증익가공범위13dB.해심편체적위2.0 mm×1.8 mm×0.1 mm.
