硅酸盐学报
硅痠鹽學報
규산염학보
JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2004年
9期
1088-1093
,共6页
武卫兵%靳正国%华缜%邱继军
武衛兵%靳正國%華縝%邱繼軍
무위병%근정국%화진%구계군
电化学沉积%p型硫氰酸亚铜薄膜%太阳能电池%纳米晶太阳光电池%极薄吸附层太阳能电池
電化學沉積%p型硫氰痠亞銅薄膜%太暘能電池%納米晶太暘光電池%極薄吸附層太暘能電池
전화학침적%p형류청산아동박막%태양능전지%납미정태양광전지%겁박흡부층태양능전지
采用电化学沉积法分别用水和乙醇作溶剂在In2O3-SnO2(ITO)透明导电玻璃上制备出了CuSCN薄膜.通过XPS分析表明:2种溶剂中制备的CuSCN薄膜均为SCN化学剂量比过量,具有p型半导体特征.研究了溶剂对CuSCN薄膜结构和光电学特性的影响.结果表明:在乙醇溶剂中能够制备出晶粒更加细化,致密度较高的CuSCN薄膜,电化学沉积制备的CuSCN薄膜具有β-CuSCN结构,属于六方晶系,直接光学带隙为3.7 eV,具有较高的透光率.电流-时间或电位-时间的变化曲线表明:利用薄膜的半导体电阻特性,可以影响薄膜的沉积行为.
採用電化學沉積法分彆用水和乙醇作溶劑在In2O3-SnO2(ITO)透明導電玻璃上製備齣瞭CuSCN薄膜.通過XPS分析錶明:2種溶劑中製備的CuSCN薄膜均為SCN化學劑量比過量,具有p型半導體特徵.研究瞭溶劑對CuSCN薄膜結構和光電學特性的影響.結果錶明:在乙醇溶劑中能夠製備齣晶粒更加細化,緻密度較高的CuSCN薄膜,電化學沉積製備的CuSCN薄膜具有β-CuSCN結構,屬于六方晶繫,直接光學帶隙為3.7 eV,具有較高的透光率.電流-時間或電位-時間的變化麯線錶明:利用薄膜的半導體電阻特性,可以影響薄膜的沉積行為.
채용전화학침적법분별용수화을순작용제재In2O3-SnO2(ITO)투명도전파리상제비출료CuSCN박막.통과XPS분석표명:2충용제중제비적CuSCN박막균위SCN화학제량비과량,구유p형반도체특정.연구료용제대CuSCN박막결구화광전학특성적영향.결과표명:재을순용제중능구제비출정립경가세화,치밀도교고적CuSCN박막,전화학침적제비적CuSCN박막구유β-CuSCN결구,속우륙방정계,직접광학대극위3.7 eV,구유교고적투광솔.전류-시간혹전위-시간적변화곡선표명:이용박막적반도체전조특성,가이영향박막적침적행위.
