半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
1期
192-196
,共5页
余隽%唐祯安%陈正豪%魏广芬%王立鼎%闫桂贞
餘雋%唐禎安%陳正豪%魏廣芬%王立鼎%閆桂貞
여준%당정안%진정호%위엄분%왕립정%염계정
微热板%硅微加工工艺%有限元%热传导
微熱闆%硅微加工工藝%有限元%熱傳導
미열판%규미가공공예%유한원%열전도
针对常压和真空两种环境,通过三维有限元模拟分析了背面体硅加工型、正面体硅加工型和表面加工型三种微热板(MHP)的传热主渠道和加热功率.制作了背面体硅加工型和表面加工型MHP,并对两者在常压及13.3Pa气压下的加热功率进行了测试.实验值与有限元分析结果一致,表明虽然真空中表面加工型MHP热功耗小于背面体硅加工型MHP,但薄层空气导热使表面加工型MHP在大气中的功耗大幅增加,并大于背面体硅加工型MHP的热功耗.
針對常壓和真空兩種環境,通過三維有限元模擬分析瞭揹麵體硅加工型、正麵體硅加工型和錶麵加工型三種微熱闆(MHP)的傳熱主渠道和加熱功率.製作瞭揹麵體硅加工型和錶麵加工型MHP,併對兩者在常壓及13.3Pa氣壓下的加熱功率進行瞭測試.實驗值與有限元分析結果一緻,錶明雖然真空中錶麵加工型MHP熱功耗小于揹麵體硅加工型MHP,但薄層空氣導熱使錶麵加工型MHP在大氣中的功耗大幅增加,併大于揹麵體硅加工型MHP的熱功耗.
침대상압화진공량충배경,통과삼유유한원모의분석료배면체규가공형、정면체규가공형화표면가공형삼충미열판(MHP)적전열주거도화가열공솔.제작료배면체규가공형화표면가공형MHP,병대량자재상압급13.3Pa기압하적가열공솔진행료측시.실험치여유한원분석결과일치,표명수연진공중표면가공형MHP열공모소우배면체규가공형MHP,단박층공기도열사표면가공형MHP재대기중적공모대폭증가,병대우배면체규가공형MHP적열공모.
