光学精密工程
光學精密工程
광학정밀공정
OPTICS AND PRECISION ENGINEERING
2008年
4期
565-569
,共5页
王彤彤%高劲松%宋琦%王笑夷%陈红%郑宣鸣%申振峰
王彤彤%高勁鬆%宋琦%王笑夷%陳紅%鄭宣鳴%申振峰
왕동동%고경송%송기%왕소이%진홍%정선명%신진봉
Ge1-xCx薄膜%低压反应离子镀%X射线光电子能谱%离子辅助沉积
Ge1-xCx薄膜%低壓反應離子鍍%X射線光電子能譜%離子輔助沉積
Ge1-xCx박막%저압반응리자도%X사선광전자능보%리자보조침적
应用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上沉积了Get1-xCx薄膜.制备过程中,低压等离子源作为辅助等离子源,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体,在相同的沉积条件下以不同的沉积速率制备了C含量(x)从0.23到0.78的Ge1-xCx薄膜.X射线衍射测试表明制备的Ge1-xCx薄膜为无定形结构.用X射线光电子能谱研究了不同C含量下Ce1-xCx薄膜中C的化学键合变化.研究结果表明;当x>0.78时,成键为C-H键;当x为0.53～0.62时,成键为C-C键;当x<0.47时,成键为Ge-C键.
應用低壓反應離子鍍(RLVIP)技術在Ge基底上沉積瞭Get1-xCx薄膜.製備過程中,低壓等離子源作為輔助等離子源,Ge作為蒸髮材料,CH4作為反應氣體,在相同的沉積條件下以不同的沉積速率製備瞭C含量(x)從0.23到0.78的Ge1-xCx薄膜.X射線衍射測試錶明製備的Ge1-xCx薄膜為無定形結構.用X射線光電子能譜研究瞭不同C含量下Ce1-xCx薄膜中C的化學鍵閤變化.研究結果錶明;噹x>0.78時,成鍵為C-H鍵;噹x為0.53～0.62時,成鍵為C-C鍵;噹x<0.47時,成鍵為Ge-C鍵.
응용저압반응리자도(RLVIP)기술재Ge기저상침적료Get1-xCx박막.제비과정중,저압등리자원작위보조등리자원,Ge작위증발재료,CH4작위반응기체,재상동적침적조건하이불동적침적속솔제비료C함량(x)종0.23도0.78적Ge1-xCx박막.X사선연사측시표명제비적Ge1-xCx박막위무정형결구.용X사선광전자능보연구료불동C함량하Ce1-xCx박막중C적화학건합변화.연구결과표명;당x>0.78시,성건위C-H건;당x위0.53～0.62시,성건위C-C건;당x<0.47시,성건위Ge-C건.
