北京师范大学学报（自然科学版）
北京師範大學學報（自然科學版）
북경사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF BEIJING NORMAL UNIVERSITY
2008年
4期
384-386
,共3页
离子注入%晶格应变%X射线衍射光谱
離子註入%晶格應變%X射線衍射光譜
리자주입%정격응변%X사선연사광보
对于GaAs衬底(100)面上用金属有机物气相淀积(MOCVD)技术外延生长的GaInP/GaInAsP 单量子阱,在室温下进行0.28 MeV的Zn+离子注入,选用的注量从1×1014～5×1014 cm-2.通过双晶X射线衍射光谱测量,定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变.实验结果表明在所选用的注量下,由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非弛豫应变值0.038,说明在这样的注入条件下,注入区的结晶态仍然保持地比较好.在较高注量下应变达到饱和,应变的饱和说明缺陷的产生和复合达到了平衡,从而形成了均衡的应变场分布.
對于GaAs襯底(100)麵上用金屬有機物氣相澱積(MOCVD)技術外延生長的GaInP/GaInAsP 單量子阱,在室溫下進行0.28 MeV的Zn+離子註入,選用的註量從1×1014～5×1014 cm-2.通過雙晶X射線衍射光譜測量,定量地分析瞭由于離子註入所引起的晶格內應變.實驗結果錶明在所選用的註量下,由于離子註入引起的應變小于體材料GaAs的最大非弛豫應變值0.038,說明在這樣的註入條件下,註入區的結晶態仍然保持地比較好.在較高註量下應變達到飽和,應變的飽和說明缺陷的產生和複閤達到瞭平衡,從而形成瞭均衡的應變場分佈.
대우GaAs츤저(100)면상용금속유궤물기상정적(MOCVD)기술외연생장적GaInP/GaInAsP 단양자정,재실온하진행0.28 MeV적Zn+리자주입,선용적주량종1×1014～5×1014 cm-2.통과쌍정X사선연사광보측량,정량지분석료유우리자주입소인기적정격내응변.실험결과표명재소선용적주량하,유우리자주입인기적응변소우체재료GaAs적최대비이예응변치0.038,설명재저양적주입조건하,주입구적결정태잉연보지지비교호.재교고주량하응변체도포화,응변적포화설명결함적산생화복합체도료평형,종이형성료균형적응변장분포.
