科技致富向导
科技緻富嚮導
과기치부향도
KEJI ZHIFU XIANGDAO
2011年
9期
27,55
,共2页
半导体工艺%SiO2薄膜%干涉法%膜厚
半導體工藝%SiO2薄膜%榦涉法%膜厚
반도체공예%SiO2박막%간섭법%막후
在半导体平面工艺中,SiO2层薄膜的质量对半导体器件的成品率和性能有重要影响,因而需要对SiO2层薄膜的厚度作必要的检查.SiO2层厚度的测量有多种方法,其中干涉法是生产中较普遍采用的.本论文主要分析了利用干涉原理测量SiO2层厚度的方法,介绍了干涉现象在半导体工艺上的应用.
在半導體平麵工藝中,SiO2層薄膜的質量對半導體器件的成品率和性能有重要影響,因而需要對SiO2層薄膜的厚度作必要的檢查.SiO2層厚度的測量有多種方法,其中榦涉法是生產中較普遍採用的.本論文主要分析瞭利用榦涉原理測量SiO2層厚度的方法,介紹瞭榦涉現象在半導體工藝上的應用.
재반도체평면공예중,SiO2층박막적질량대반도체기건적성품솔화성능유중요영향,인이수요대SiO2층박막적후도작필요적검사.SiO2층후도적측량유다충방법,기중간섭법시생산중교보편채용적.본논문주요분석료이용간섭원리측량SiO2층후도적방법,개소료간섭현상재반도체공예상적응용.
