半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
10期
1083-1087
,共5页
杨成兴%季振国%刘坤%樊瑞新%叶志镇
楊成興%季振國%劉坤%樊瑞新%葉誌鎮
양성흥%계진국%류곤%번서신%협지진
ZnO薄膜%雾化裂解%X射线衍射分析%电学及光学性能
ZnO薄膜%霧化裂解%X射線衍射分析%電學及光學性能
ZnO박막%무화렬해%X사선연사분석%전학급광학성능
采用超声雾化技术,以醋酸锌水溶液为源物质,在加热的玻璃衬底上生长了ZnO薄膜,并研究了衬底温度等因素对薄膜结构及其光、电性能的影响.结果表明其为六方晶体(纤锌矿)结构,在适当的条件下,可以生长出具有较强c轴取向的ZnO薄膜,所得到的ZnO薄膜具有低达7.68×1010cm-3的载流子浓度,这对实现ZnO的p型掺杂具有重要意义.
採用超聲霧化技術,以醋痠鋅水溶液為源物質,在加熱的玻璃襯底上生長瞭ZnO薄膜,併研究瞭襯底溫度等因素對薄膜結構及其光、電性能的影響.結果錶明其為六方晶體(纖鋅礦)結構,在適噹的條件下,可以生長齣具有較彊c軸取嚮的ZnO薄膜,所得到的ZnO薄膜具有低達7.68×1010cm-3的載流子濃度,這對實現ZnO的p型摻雜具有重要意義.
채용초성무화기술,이작산자수용액위원물질,재가열적파리츤저상생장료ZnO박막,병연구료츤저온도등인소대박막결구급기광、전성능적영향.결과표명기위륙방정체(섬자광)결구,재괄당적조건하,가이생장출구유교강c축취향적ZnO박막,소득도적ZnO박막구유저체7.68×1010cm-3적재류자농도,저대실현ZnO적p형참잡구유중요의의.
