使用TEGa和TMGa为镓源MOCVD生长GaN的研究
사용TEGa화TMGa위가원MOCVD생장GaN적연구
Growth of GaN with TEGa and TMGa by MOCVD
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2001年 1期 75-79 ,共5页

    莫春兰%彭学新%熊传兵%王立%李鹏%姚冬敏%辛勇%江凤益%南昌大学

    막춘란%팽학신%웅전병%왕립%리붕%요동민%신용%강봉익%남창대학

    GaN%MOCVD%三乙基镓%三甲基镓 GaN%MOCVD%三乙基鎵%三甲基鎵
    GaN%MOCVD%삼을기가%삼갑기가
    采用自行研制的立式MOCVD生长系统,以TMGa、TEGa为Ga源,在不同的生长条件下生长GaN单晶膜.然后对样品进行室温光致发光光谱测试、范德堡霍尔测量和X射线双晶衍射测试.实验结果表明,缓冲层的Ga 源不同对GaN单晶膜质量影响很大;以TEGa为Ga源生长缓冲层及外延层,外延层不连续;以TMGa 为缓冲层Ga源、TEGa为外延层Ga源,在此得到室温载流子浓度为4.5×1017cm-3 ,迁移率为198cm2/V*s的电学性能较好的GaN单晶膜.研究结果表明:使用TEGa为外延层Ga源生长GaN,能有效地抑制不期望的蓝带的出现.
    채용자행연제적입식MOCVD생장계통,이TMGa、TEGa위Ga원,재불동적생장조건하생장GaN단정막.연후대양품진행실온광치발광광보측시、범덕보곽이측량화X사선쌍정연사측시.실험결과표명,완충층적Ga 원불동대GaN단정막질량영향흔대;이TEGa위Ga원생장완충층급외연층,외연층불련속;이TMGa 위완충층Ga원、TEGa위외연층Ga원,재차득도실온재류자농도위4.5×1017cm-3 ,천이솔위198cm2/V*s적전학성능교호적GaN단정막.연구결과표명:사용TEGa위외연층Ga원생장GaN,능유효지억제불기망적람대적출현.
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