光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2006年
12期
1453-1456
,共4页
雷本亮%于广辉%孟胜%齐鸣%李爱珍
雷本亮%于廣輝%孟勝%齊鳴%李愛珍
뢰본량%우엄휘%맹성%제명%리애진
GaN%氢化物气相外延(HVPE)%低温AlN插入层
GaN%氫化物氣相外延(HVPE)%低溫AlN插入層
GaN%경화물기상외연(HVPE)%저온AlN삽입층
采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜.X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量.低温(10 K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力.原子力显微镜(AFM)测量显示,GaN膜具有非常光滑的表面形貌,并估算出其位错密度约为3.3×108 cm-2.
採用低溫AlN插入層在氫化物氣相外延(HVPE)設備中生長齣高質量GaN膜.X射線衍射(XRD)測量髮現,低溫AlN插入層有助于提高GaN膜的結晶質量.低溫(10 K)光緻髮光(PL)譜測量錶明,低溫AlN插入層有助于釋放GaN膜外延生長的應力.原子力顯微鏡(AFM)測量顯示,GaN膜具有非常光滑的錶麵形貌,併估算齣其位錯密度約為3.3×108 cm-2.
채용저온AlN삽입층재경화물기상외연(HVPE)설비중생장출고질량GaN막.X사선연사(XRD)측량발현,저온AlN삽입층유조우제고GaN막적결정질량.저온(10 K)광치발광(PL)보측량표명,저온AlN삽입층유조우석방GaN막외연생장적응력.원자력현미경(AFM)측량현시,GaN막구유비상광활적표면형모,병고산출기위착밀도약위3.3×108 cm-2.
