微电子学与计算机
微電子學與計算機
미전자학여계산궤
MICROELECTRONICS & COMPUTER
2008年
7期
116-118,122
,共4页
MOSFET%BSIM3v3%参数提取%HSPICE%运放
MOSFET%BSIM3v3%參數提取%HSPICE%運放
MOSFET%BSIM3v3%삼수제취%HSPICE%운방
BSIM3v3是现在业界普遍使用的MOSFET模型,用它仿真电路能够得到准确的结果,但这个复杂的模型给电路设计者的手算过程带来了相当大的困难.为得到更为准确的关键参数,对用HSPICE从BSIM3v3模型提取关键参数的方法进行了改进,并以一个运放设计为例进行比较,该方法提取的关键参数的手算结果比其他方法更接近仿真结果.
BSIM3v3是現在業界普遍使用的MOSFET模型,用它倣真電路能夠得到準確的結果,但這箇複雜的模型給電路設計者的手算過程帶來瞭相噹大的睏難.為得到更為準確的關鍵參數,對用HSPICE從BSIM3v3模型提取關鍵參數的方法進行瞭改進,併以一箇運放設計為例進行比較,該方法提取的關鍵參數的手算結果比其他方法更接近倣真結果.
BSIM3v3시현재업계보편사용적MOSFET모형,용타방진전로능구득도준학적결과,단저개복잡적모형급전로설계자적수산과정대래료상당대적곤난.위득도경위준학적관건삼수,대용HSPICE종BSIM3v3모형제취관건삼수적방법진행료개진,병이일개운방설계위례진행비교,해방법제취적관건삼수적수산결과비기타방법경접근방진결과.
