电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2008年
8期
33-35
,共3页
董福惠%夏秀峰%贺雅飞%陈培%李华东
董福惠%夏秀峰%賀雅飛%陳培%李華東
동복혜%하수봉%하아비%진배%리화동
无机非金属材料%Bi2O3-B2O3-ZnO-Al2O3系玻璃%电性能%介电性能
無機非金屬材料%Bi2O3-B2O3-ZnO-Al2O3繫玻璃%電性能%介電性能
무궤비금속재료%Bi2O3-B2O3-ZnO-Al2O3계파리%전성능%개전성능
以Bi2O3-B2O3-ZnO-Al2O3系为基础,调整Bi2O3与B2O3的含量以制备低熔点电子玻璃,研究了高含量Bi2O3对玻璃电性能的影响.并通过红外光谱对玻璃的结构进行了分析.结果表明:玻璃的转变温度tg、εr和ρv随着Bi2O3含量的增加而降低,而tanδ则增大.当w(Bi2O3)约为80%时,tg约为445 ℃,ρv约为1.9×1013 Ω·cm.
以Bi2O3-B2O3-ZnO-Al2O3繫為基礎,調整Bi2O3與B2O3的含量以製備低鎔點電子玻璃,研究瞭高含量Bi2O3對玻璃電性能的影響.併通過紅外光譜對玻璃的結構進行瞭分析.結果錶明:玻璃的轉變溫度tg、εr和ρv隨著Bi2O3含量的增加而降低,而tanδ則增大.噹w(Bi2O3)約為80%時,tg約為445 ℃,ρv約為1.9×1013 Ω·cm.
이Bi2O3-B2O3-ZnO-Al2O3계위기출,조정Bi2O3여B2O3적함량이제비저용점전자파리,연구료고함량Bi2O3대파리전성능적영향.병통과홍외광보대파리적결구진행료분석.결과표명:파리적전변온도tg、εr화ρv수착Bi2O3함량적증가이강저,이tanδ칙증대.당w(Bi2O3)약위80%시,tg약위445 ℃,ρv약위1.9×1013 Ω·cm.
