真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2009年
5期
494-498
,共5页
申陈海%卢景霄%陈永生%郭学军
申陳海%盧景霄%陳永生%郭學軍
신진해%로경소%진영생%곽학군
μc-Si:H%VHF-PECVD%生长速率%晶化率%孵化层%分步沉积
μc-Si:H%VHF-PECVD%生長速率%晶化率%孵化層%分步沉積
μc-Si:H%VHF-PECVD%생장속솔%정화솔%부화층%분보침적
采用甚高频等离子体辅助化学气相沉积技术(VHF-PECVD)分别对薄膜沉积参数进行了功率密度-沉积气压和硅烷浓度-气体总流量两因素优化.主要研究沉积参数对薄膜沉积速率和结晶状况的影响,结果表明:高沉积压强下,功率密度的提高对微晶硅薄膜(μc-Si∶H)沉积速率的影响减弱,硅烷浓度和气体总流量影响作用相对增强,高硅烷浓度有利于材料的利用,最终在高压强(600Pa)条件下,使微晶硅薄膜的沉积速率提升到2.1nm·s-1.同时,利用分步沉积法对薄膜的纵向结构均匀性进行了初步研究.
採用甚高頻等離子體輔助化學氣相沉積技術(VHF-PECVD)分彆對薄膜沉積參數進行瞭功率密度-沉積氣壓和硅烷濃度-氣體總流量兩因素優化.主要研究沉積參數對薄膜沉積速率和結晶狀況的影響,結果錶明:高沉積壓彊下,功率密度的提高對微晶硅薄膜(μc-Si∶H)沉積速率的影響減弱,硅烷濃度和氣體總流量影響作用相對增彊,高硅烷濃度有利于材料的利用,最終在高壓彊(600Pa)條件下,使微晶硅薄膜的沉積速率提升到2.1nm·s-1.同時,利用分步沉積法對薄膜的縱嚮結構均勻性進行瞭初步研究.
채용심고빈등리자체보조화학기상침적기술(VHF-PECVD)분별대박막침적삼수진행료공솔밀도-침적기압화규완농도-기체총류량량인소우화.주요연구침적삼수대박막침적속솔화결정상황적영향,결과표명:고침적압강하,공솔밀도적제고대미정규박막(μc-Si∶H)침적속솔적영향감약,규완농도화기체총류량영향작용상대증강,고규완농도유리우재료적이용,최종재고압강(600Pa)조건하,사미정규박막적침적속솔제승도2.1nm·s-1.동시,이용분보침적법대박막적종향결구균균성진행료초보연구.
