真空
真空
진공
VACUUM
2011年
3期
55-57
,共3页
杨为家%谢尚昇%李雪飞%王云云%符跃春
楊為傢%謝尚昇%李雪飛%王雲雲%符躍春
양위가%사상승%리설비%왕운운%부약춘
TiN薄膜%N2分压%激光脉冲能量%晶体结构%生长模式
TiN薄膜%N2分壓%激光脈遲能量%晶體結構%生長模式
TiN박막%N2분압%격광맥충능량%정체결구%생장모식
采用激光分子束外延(LMBE)技术在Si(100)上制备了高质量的TiN薄膜.对N2分压和激光脉冲能量对TiN薄膜晶体结构、生长模式和表面形貌影响的研究表明,TiN单晶薄膜呈(200)择优取向,在N2分压为10-1 Pa时,薄膜的结晶度高且表面平整致密.随着N2分压的增加,TiN(200)衍射峰向低角度移动.激光脉冲能量显著影响TiN薄膜的生长模式,在能量为200 mJ/p时,薄膜呈二维层状生长模式且具有纳米.级平滑表面,为制备高取向度AlN薄膜提供了很好的条件.
採用激光分子束外延(LMBE)技術在Si(100)上製備瞭高質量的TiN薄膜.對N2分壓和激光脈遲能量對TiN薄膜晶體結構、生長模式和錶麵形貌影響的研究錶明,TiN單晶薄膜呈(200)擇優取嚮,在N2分壓為10-1 Pa時,薄膜的結晶度高且錶麵平整緻密.隨著N2分壓的增加,TiN(200)衍射峰嚮低角度移動.激光脈遲能量顯著影響TiN薄膜的生長模式,在能量為200 mJ/p時,薄膜呈二維層狀生長模式且具有納米.級平滑錶麵,為製備高取嚮度AlN薄膜提供瞭很好的條件.
채용격광분자속외연(LMBE)기술재Si(100)상제비료고질량적TiN박막.대N2분압화격광맥충능량대TiN박막정체결구、생장모식화표면형모영향적연구표명,TiN단정박막정(200)택우취향,재N2분압위10-1 Pa시,박막적결정도고차표면평정치밀.수착N2분압적증가,TiN(200)연사봉향저각도이동.격광맥충능량현저영향TiN박막적생장모식,재능량위200 mJ/p시,박막정이유층상생장모식차구유납미.급평활표면,위제비고취향도AlN박막제공료흔호적조건.
