MOCVD方法在Ni/Si(111)模板上生长ZnO薄膜
MOCVD방법재Ni/Si(111)모판상생장ZnO박막
MOCVD growth of ZnO film on Ni/Si(111) template
  • 万方数据
    南昌大学学报（理科版） 남창대학학보（이과판）
    JOURNAL OF NANCHANG UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
    2006年 1期 56-58,62 ,共4页

    方芳%王立%方文卿%蒲勇%郑畅达%苏宏波%江风益

    방방%왕립%방문경%포용%정창체%소굉파%강풍익

    ZnO%MOCVD%Ni%Si%X射线衍射%光致发光 ZnO%MOCVD%Ni%Si%X射線衍射%光緻髮光
    ZnO%MOCVD%Ni%Si%X사선연사%광치발광
    用常压金属有机化学气相外延方法在Ni/Si(111)模板上生长ZnO薄膜,研究了ZnO低温缓冲层的厚度(50～ 300)对薄膜性能的影响.采用原子力显微镜,X 射线衍射和光致发光光谱仪对这些样品进行分析.结果表明:缓冲层的厚度对ZnO外延薄膜的表面形貌、晶体结构及发光性能都有较大影响.在50～ 100低温缓冲层上生长的ZnO外延膜,晶粒尺寸大小均匀,发光和结晶性能良好.
    용상압금속유궤화학기상외연방법재Ni/Si(111)모판상생장ZnO박막,연구료ZnO저온완충층적후도(50～ 300)대박막성능적영향.채용원자력현미경,X 사선연사화광치발광광보의대저사양품진행분석.결과표명:완충층적후도대ZnO외연박막적표면형모、정체결구급발광성능도유교대영향.재50～ 100저온완충층상생장적ZnO외연막,정립척촌대소균균,발광화결정성능량호.
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