微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2007年
5期
636-639,643
,共5页
杨红官%朱家俊%喻彪%戴大康%曾云
楊紅官%硃傢俊%喻彪%戴大康%曾雲
양홍관%주가준%유표%대대강%증운
直接隧穿%顺序隧穿%高介电常数栅介质%MOS器件
直接隧穿%順序隧穿%高介電常數柵介質%MOS器件
직접수천%순서수천%고개전상수책개질%MOS기건
采用顺序隧穿理论和传输哈密顿方法并考虑沟道表面量子化效应,建立了高介电常数堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的顺序隧穿模型.利用该模型数值,研究了Si3N4/SiO2、Al2O3/SiO2、HfO2/SiO2和La2O3/SiO2四种堆叠栅介质结构MOS器件的栅极漏电流随栅极电压和等效氧化层厚度变化的关系.依据计算结果,讨论了堆叠栅介质MOS器件按比例缩小的前景.
採用順序隧穿理論和傳輸哈密頓方法併攷慮溝道錶麵量子化效應,建立瞭高介電常數堆疊柵介質MOS器件柵極漏電流的順序隧穿模型.利用該模型數值,研究瞭Si3N4/SiO2、Al2O3/SiO2、HfO2/SiO2和La2O3/SiO2四種堆疊柵介質結構MOS器件的柵極漏電流隨柵極電壓和等效氧化層厚度變化的關繫.依據計算結果,討論瞭堆疊柵介質MOS器件按比例縮小的前景.
채용순서수천이론화전수합밀돈방법병고필구도표면양자화효응,건립료고개전상수퇴첩책개질MOS기건책겁루전류적순서수천모형.이용해모형수치,연구료Si3N4/SiO2、Al2O3/SiO2、HfO2/SiO2화La2O3/SiO2사충퇴첩책개질결구MOS기건적책겁루전류수책겁전압화등효양화층후도변화적관계.의거계산결과,토론료퇴첩책개질MOS기건안비례축소적전경.
