CAJ | 학술논문

万方数据

固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2010年 2期 234-239 ,共6页

何伟%徐萍%张润曦%张勇%李彬%陈子晏%马和良%赖宗声

하위%서평%장윤희%장용%리빈%진자안%마화량%뢰종성

互补金属氧化物半导体%电感电容压控振荡器%相位噪声%超高频射频识别互補金屬氧化物半導體%電感電容壓控振盪器%相位譟聲%超高頻射頻識彆
호보금속양화물반도체%전감전용압공진탕기%상위조성%초고빈사빈식별

设计了一种应用于单片CMOS超高频射频识别阅读器中的低功耗、低相位噪声LC VCO.根据超高频射频识别阅读器的系统架构和协议要求,对本振相位噪声要求做出详细讨论;采用LC滤波器和低压差调压器分别对尾电流源噪声和电源噪声进行抑制,提高了VCO相位噪声性能.电路采用IBM 0.18μm RF CMOS工艺实现,电源电压3.3 V时,偏置电流为4.5 mA,中心频率为1.8 GHz,在频偏1 MHz处,相位噪声为-136.25 dBc/Hz,调谐范围为30%.
설계료일충응용우단편CMOS초고빈사빈식별열독기중적저공모、저상위조성LC VCO.근거초고빈사빈식별열독기적계통가구화협의요구,대본진상위조성요구주출상세토론;채용LC려파기화저압차조압기분별대미전류원조성화전원조성진행억제,제고료VCO상위조성성능.전로채용IBM 0.18μm RF CMOS공예실현,전원전압3.3 V시,편치전류위4.5 mA,중심빈솔위1.8 GHz,재빈편1 MHz처,상위조성위-136.25 dBc/Hz,조해범위위30%.