半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
1期
18-23
,共6页
王一奇%赵发展%刘梦新%吕荫学%赵博华%韩郑生
王一奇%趙髮展%劉夢新%呂蔭學%趙博華%韓鄭生
왕일기%조발전%류몽신%려음학%조박화%한정생
静态随机存储器%单粒子%抗辐射加固设计%抗辐射加固%纠检错
靜態隨機存儲器%單粒子%抗輻射加固設計%抗輻射加固%糾檢錯
정태수궤존저기%단입자%항복사가고설계%항복사가고%규검착
研究了目前业内基于抗辐射加固设计(RHBD)技术的静态随机存储器(SRAM)抗辐射加固设计技术,着重探讨了电路级和系统级两种抗辐射加固方式.电路级抗辐射加固方式主要有在存储节点加电容电阻、引入耦合电容、多管存储单元三种抗辐射加固技术；系统级抗辐射加固方式分别是三态冗余(TMR)、一位纠错二位检错(SEC-DED)和二位纠错(DEC)三种纠错方式,并针对各自的优缺点进行分析.通过对相关产品参数的比较,得到采用这些抗辐射加固设计可以使静态随机存储器的软错误率达到1×10-12翻转数/位·天以上,且采用纠检错(EDAC)技术相比其他技术能更有效提高静态随机存储器的抗单粒子辐照性能.
研究瞭目前業內基于抗輻射加固設計(RHBD)技術的靜態隨機存儲器(SRAM)抗輻射加固設計技術,著重探討瞭電路級和繫統級兩種抗輻射加固方式.電路級抗輻射加固方式主要有在存儲節點加電容電阻、引入耦閤電容、多管存儲單元三種抗輻射加固技術；繫統級抗輻射加固方式分彆是三態冗餘(TMR)、一位糾錯二位檢錯(SEC-DED)和二位糾錯(DEC)三種糾錯方式,併針對各自的優缺點進行分析.通過對相關產品參數的比較,得到採用這些抗輻射加固設計可以使靜態隨機存儲器的軟錯誤率達到1×10-12翻轉數/位·天以上,且採用糾檢錯(EDAC)技術相比其他技術能更有效提高靜態隨機存儲器的抗單粒子輻照性能.
연구료목전업내기우항복사가고설계(RHBD)기술적정태수궤존저기(SRAM)항복사가고설계기술,착중탐토료전로급화계통급량충항복사가고방식.전로급항복사가고방식주요유재존저절점가전용전조、인입우합전용、다관존저단원삼충항복사가고기술；계통급항복사가고방식분별시삼태용여(TMR)、일위규착이위검착(SEC-DED)화이위규착(DEC)삼충규착방식,병침대각자적우결점진행분석.통과대상관산품삼수적비교,득도채용저사항복사가고설계가이사정태수궤존저기적연착오솔체도1×10-12번전수/위·천이상,차채용규검착(EDAC)기술상비기타기술능경유효제고정태수궤존저기적항단입자복조성능.
