微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
3期
402-405
,共4页
张林%杨霏%肖剑%邱彦章
張林%楊霏%肖劍%邱彥章
장림%양비%초검%구언장
碳化硅%结型场效应晶体管%数值模型
碳化硅%結型場效應晶體管%數值模型
탄화규%결형장효응정체관%수치모형
建立了常关型SiC结型场效应晶体管(JFET)功率特性的数值模型,研究了不同的结构和材料参数对器件功率特性的影响.仿真结果显示,沟道层、漂移层等各层的厚度及掺杂浓度对器件的开态电阻和击穿电压都有明显的影响；采用电流增强层可以明显提高器件的功率特性.研究结果表明,对SiC JFET的结构参数进行优化,可以有效提高器件的优值(FOM).
建立瞭常關型SiC結型場效應晶體管(JFET)功率特性的數值模型,研究瞭不同的結構和材料參數對器件功率特性的影響.倣真結果顯示,溝道層、漂移層等各層的厚度及摻雜濃度對器件的開態電阻和擊穿電壓都有明顯的影響；採用電流增彊層可以明顯提高器件的功率特性.研究結果錶明,對SiC JFET的結構參數進行優化,可以有效提高器件的優值(FOM).
건립료상관형SiC결형장효응정체관(JFET)공솔특성적수치모형,연구료불동적결구화재료삼수대기건공솔특성적영향.방진결과현시,구도층、표이층등각층적후도급참잡농도대기건적개태전조화격천전압도유명현적영향；채용전류증강층가이명현제고기건적공솔특성.연구결과표명,대SiC JFET적결구삼수진행우화,가이유효제고기건적우치(FOM).
