人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
3期
670-674
,共5页
翟小林%王英龙%丁学成%邓泽超%褚立志%傅广生
翟小林%王英龍%丁學成%鄧澤超%褚立誌%傅廣生
적소림%왕영룡%정학성%산택초%저립지%부엄생
纳米硅晶粒%脉冲激光烧蚀%平均尺寸%角度分布
納米硅晶粒%脈遲激光燒蝕%平均呎吋%角度分佈
납미규정립%맥충격광소식%평균척촌%각도분포
为了研究混合环境气体配比对脉冲激光烧蚀制备纳米硅(Si)晶粒角度分布的影响,采用XeCl准分子激光器,烧蚀高阻抗单晶Si靶,改变混合环境气体配比(He/Ar =41、1∶10、1∶1、1∶4、1∶2),在半圆环衬底上成功制备了一系列纳米Si晶薄膜.使用扫描电子显微镜(SEM)图像、X射线衍射谱(XRD)和拉曼光谱(Raman)对其进行表征分析.结果表明,在五种配比下,纳米Si晶粒的平均尺寸均随着偏离羽辉轴向夹角的增大而减小；各个角度处,纳米Si晶粒的平均尺寸均随着混合环境气体平均原子质量的增加而呈现先减小后增大的趋势.从传输动力学角度,对结果进行了定性分析.
為瞭研究混閤環境氣體配比對脈遲激光燒蝕製備納米硅(Si)晶粒角度分佈的影響,採用XeCl準分子激光器,燒蝕高阻抗單晶Si靶,改變混閤環境氣體配比(He/Ar =41、1∶10、1∶1、1∶4、1∶2),在半圓環襯底上成功製備瞭一繫列納米Si晶薄膜.使用掃描電子顯微鏡(SEM)圖像、X射線衍射譜(XRD)和拉曼光譜(Raman)對其進行錶徵分析.結果錶明,在五種配比下,納米Si晶粒的平均呎吋均隨著偏離羽輝軸嚮夾角的增大而減小；各箇角度處,納米Si晶粒的平均呎吋均隨著混閤環境氣體平均原子質量的增加而呈現先減小後增大的趨勢.從傳輸動力學角度,對結果進行瞭定性分析.
위료연구혼합배경기체배비대맥충격광소식제비납미규(Si)정립각도분포적영향,채용XeCl준분자격광기,소식고조항단정Si파,개변혼합배경기체배비(He/Ar =41、1∶10、1∶1、1∶4、1∶2),재반원배츤저상성공제비료일계렬납미Si정박막.사용소묘전자현미경(SEM)도상、X사선연사보(XRD)화랍만광보(Raman)대기진행표정분석.결과표명,재오충배비하,납미Si정립적평균척촌균수착편리우휘축향협각적증대이감소；각개각도처,납미Si정립적평균척촌균수착혼합배경기체평균원자질량적증가이정현선감소후증대적추세.종전수동역학각도,대결과진행료정성분석.
