电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2004年
3期
37-38,42
,共3页
陈平%黄美浅%李斌%李观启
陳平%黃美淺%李斌%李觀啟
진평%황미천%리빈%리관계
MIOS结构%C-V特性%介电常数%退火
MIOS結構%C-V特性%介電常數%退火
MIOS결구%C-V특성%개전상수%퇴화
采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺,在SiO2/Si衬底上淀积钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜,研究在氧气氛中不同温度和时间的退火对薄膜的介电常数的影响.实验结果表明,在退火温度为600℃时,随着氧退火时间的增加,钛酸锶钡薄膜的相对介电常数减小;而在退火时间为30 min时,随着退火温度的增加,钛酸锶钡薄膜的相对介电常数增加.微观结构分析和极化理论解释了这一现象.
採用氬離子束鍍膜技術和硅平麵工藝,在SiO2/Si襯底上澱積鈦痠鍶鋇 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜,研究在氧氣氛中不同溫度和時間的退火對薄膜的介電常數的影響.實驗結果錶明,在退火溫度為600℃時,隨著氧退火時間的增加,鈦痠鍶鋇薄膜的相對介電常數減小;而在退火時間為30 min時,隨著退火溫度的增加,鈦痠鍶鋇薄膜的相對介電常數增加.微觀結構分析和極化理論解釋瞭這一現象.
채용아리자속도막기술화규평면공예,재SiO2/Si츤저상정적태산송패 (Ba1-xSrxTiO3)박막,연구재양기분중불동온도화시간적퇴화대박막적개전상수적영향.실험결과표명,재퇴화온도위600℃시,수착양퇴화시간적증가,태산송패박막적상대개전상수감소;이재퇴화시간위30 min시,수착퇴화온도적증가,태산송패박막적상대개전상수증가.미관결구분석화겁화이론해석료저일현상.
