半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
6期
1044-1047
,共4页
高同强%张春%池保勇%王志华
高同彊%張春%池保勇%王誌華
고동강%장춘%지보용%왕지화
CMOS%功率放大器%射频识别%发射机%调制深度
CMOS%功率放大器%射頻識彆%髮射機%調製深度
CMOS%공솔방대기%사빈식별%발사궤%조제심도
CMOS%power amplifier%RFID%transmitter%modulation depth
针对一种特定的射频识别技术的通讯协议(ISO1800-6B),提出了一种应用于射频识别读写器中的发射机前端结构,以实现发射信号的OOK调制.采用0.18μm CMOS工艺实现的这种高效率、高度集成的无线发射机前端由射频信号调制器、E类功率放大器以及相应的逻辑控制单元组成,其中的功率放大器的小信号增益约为23dB,其1dB压缩点输出功率为17.6dBm,最大输出功率为19.0dBm,而最大功率增加效率为35.4%.整个发射机的输出信号满足相应协议的特定要求,可以实现不同调制深度(18%和100%)的射频信号输出.
針對一種特定的射頻識彆技術的通訊協議(ISO1800-6B),提齣瞭一種應用于射頻識彆讀寫器中的髮射機前耑結構,以實現髮射信號的OOK調製.採用0.18μm CMOS工藝實現的這種高效率、高度集成的無線髮射機前耑由射頻信號調製器、E類功率放大器以及相應的邏輯控製單元組成,其中的功率放大器的小信號增益約為23dB,其1dB壓縮點輸齣功率為17.6dBm,最大輸齣功率為19.0dBm,而最大功率增加效率為35.4%.整箇髮射機的輸齣信號滿足相應協議的特定要求,可以實現不同調製深度(18%和100%)的射頻信號輸齣.
침대일충특정적사빈식별기술적통신협의(ISO1800-6B),제출료일충응용우사빈식별독사기중적발사궤전단결구,이실현발사신호적OOK조제.채용0.18μm CMOS공예실현적저충고효솔、고도집성적무선발사궤전단유사빈신호조제기、E류공솔방대기이급상응적라집공제단원조성,기중적공솔방대기적소신호증익약위23dB,기1dB압축점수출공솔위17.6dBm,최대수출공솔위19.0dBm,이최대공솔증가효솔위35.4%.정개발사궤적수출신호만족상응협의적특정요구,가이실현불동조제심도(18%화100%)적사빈신호수출.
Aiming at the specific protocol of RFID technology,a 915MHz CMOS transmitter front-end for OOK modula-tion is implemented in a 0.18μm CMOS process. The transmitter incorporates a class-E power amplifier (PA),a modula-tor, and a control logic unit. The direct-conversion architecture minimizes the required on-and-off-chip components and provides a low-cost and efficient solution. A novel structure is proposed to provide the modulation depth of 100% and 18% ,respectively. The PA presents an output 1dB power of 17.6dBm while maintaining a maximum PAE of 35.4%.