能隙阶梯缓变结构Si1-xGex/Si光电探测器
능극계제완변결구Si1-xGex/Si광전탐측기
Graded Band-gap Si1-xGex/Si Photodiode
  • 万方数据
    高技术通讯 고기술통신
    HIGH TECHNOLOGY LETTERS
    2000年 6期 10-12 ,共3页

    罗志云%江若琏%郑有炓%臧岚%朱顺明%程雪梅%刘夏冰

    라지운%강약련%정유료%장람%주순명%정설매%류하빙

    能隙梯度%光电响应度%离化%耗尽层 能隙梯度%光電響應度%離化%耗儘層
    능극제도%광전향응도%리화%모진층
    提出了一种新结构Si1-xGex/Si光电探测器--能隙阶梯缓变结构的Si1-xGex/Si PIN型近红外光电探测器.理论分析表明,能隙缓变增大了载流子的离化率,价带的不连续则有利于空穴离化,从而对载流子的收集有利,可获得高的光电响应.实验结果表明,该探测器具有良好的I-V特性,反向漏电低达0.1μA/mm2(-2V).该探测器主峰值波长在0.96μm.其光电流响应随着反向偏压的增加有明显的增大,在同等条件下其光电流响应约为商用Si-PIN探测器的15倍.
    제출료일충신결구Si1-xGex/Si광전탐측기--능극계제완변결구적Si1-xGex/Si PIN형근홍외광전탐측기.이론분석표명,능극완변증대료재류자적리화솔,개대적불련속칙유리우공혈리화,종이대재류자적수집유리,가획득고적광전향응.실험결과표명,해탐측기구유량호적I-V특성,반향루전저체0.1μA/mm2(-2V).해탐측기주봉치파장재0.96μm.기광전류향응수착반향편압적증가유명현적증대,재동등조건하기광전류향응약위상용Si-PIN탐측기적15배.
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