半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
7期
869-873
,共5页
张有涛%夏冠群%高建峰%李拂晓%铁宏安%杨乃彬
張有濤%夏冠群%高建峰%李拂曉%鐵宏安%楊迺彬
장유도%하관군%고건봉%리불효%철굉안%양내빈
参数提取%遗传算法%模型%MESFET
參數提取%遺傳算法%模型%MESFET
삼수제취%유전산법%모형%MESFET
提出了一种改进的遗传算法,应用于提取GaAs MESFET小信号等效电路参数.改进的算法采用浮点编码连续突变,多种遗传操作合作运行,并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种群退化现象,该算法可快速搜索到全局最优解而不受初始值限制.在0.1～10GHz范围内实现了精确、快速地提取GaAs MESFET小信号等效电路参数,并可合理外推至20GHz,整个过程无需人工干预.算法用Matlab语言实现,可方便地应用于HBT和HEMT以及无源元件电容、电感的参数提取.
提齣瞭一種改進的遺傳算法,應用于提取GaAs MESFET小信號等效電路參數.改進的算法採用浮點編碼連續突變,多種遺傳操作閤作運行,併應用子代優化策略剋服瞭傳統遺傳算法可能齣現的種群退化現象,該算法可快速搜索到全跼最優解而不受初始值限製.在0.1～10GHz範圍內實現瞭精確、快速地提取GaAs MESFET小信號等效電路參數,併可閤理外推至20GHz,整箇過程無需人工榦預.算法用Matlab語言實現,可方便地應用于HBT和HEMT以及無源元件電容、電感的參數提取.
제출료일충개진적유전산법,응용우제취GaAs MESFET소신호등효전로삼수.개진적산법채용부점편마련속돌변,다충유전조작합작운행,병응용자대우화책략극복료전통유전산법가능출현적충군퇴화현상,해산법가쾌속수색도전국최우해이불수초시치한제.재0.1～10GHz범위내실현료정학、쾌속지제취GaAs MESFET소신호등효전로삼수,병가합리외추지20GHz,정개과정무수인공간예.산법용Matlab어언실현,가방편지응용우HBT화HEMT이급무원원건전용、전감적삼수제취.
