发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2006年
5期
719-723
,共5页
黎威%阳秀%季兴桥%钟志有%蒋亚东
黎威%暘秀%季興橋%鐘誌有%蔣亞東
려위%양수%계흥교%종지유%장아동
有机电致发光器件%聚乙烯基咔唑%空穴传输层%器件性能
有機電緻髮光器件%聚乙烯基咔唑%空穴傳輸層%器件性能
유궤전치발광기건%취을희기잡서%공혈전수층%기건성능
以聚乙烯基咔唑poly(N-vinylcarbazole)(PVK)旋涂层为空穴传输层,着重研究了PVK层厚度对双层器件氧化铟锡(ITO)/PVK/tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(Alq3)/Mg∶Ag/Al器件性能的影响.测试结果表明,当Alq3层厚度一定时(50 nm),只有PVK层为适当厚度(18 nm)时双层器件才有最优良的器件性能,即最低的起亮电压,最高的发光亮度和效率.同时对比了不同PVK层厚度的PVK/Alq3双层器件之间以及PVK/Alq3与N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine (NPB)/Alq3双层器件寿命的差异.测试结果表明,尽管越厚的PVK层对应的PVK/Alq3双层器件发光性能并不是越好,但器件寿命越长.原因是器件Alq3层内形成的Alq+3越少,因此器件稳定性越好;而PVK/Alq3与NPB/Alq3双层器件寿命的差异来自不同空穴传输层的制备工艺和能级结构的不同.
以聚乙烯基咔唑poly(N-vinylcarbazole)(PVK)鏇塗層為空穴傳輸層,著重研究瞭PVK層厚度對雙層器件氧化銦錫(ITO)/PVK/tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(Alq3)/Mg∶Ag/Al器件性能的影響.測試結果錶明,噹Alq3層厚度一定時(50 nm),隻有PVK層為適噹厚度(18 nm)時雙層器件纔有最優良的器件性能,即最低的起亮電壓,最高的髮光亮度和效率.同時對比瞭不同PVK層厚度的PVK/Alq3雙層器件之間以及PVK/Alq3與N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine (NPB)/Alq3雙層器件壽命的差異.測試結果錶明,儘管越厚的PVK層對應的PVK/Alq3雙層器件髮光性能併不是越好,但器件壽命越長.原因是器件Alq3層內形成的Alq+3越少,因此器件穩定性越好;而PVK/Alq3與NPB/Alq3雙層器件壽命的差異來自不同空穴傳輸層的製備工藝和能級結構的不同.
이취을희기잡서poly(N-vinylcarbazole)(PVK)선도층위공혈전수층,착중연구료PVK층후도대쌍층기건양화인석(ITO)/PVK/tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(Alq3)/Mg∶Ag/Al기건성능적영향.측시결과표명,당Alq3층후도일정시(50 nm),지유PVK층위괄당후도(18 nm)시쌍층기건재유최우량적기건성능,즉최저적기량전압,최고적발광량도화효솔.동시대비료불동PVK층후도적PVK/Alq3쌍층기건지간이급PVK/Alq3여N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine (NPB)/Alq3쌍층기건수명적차이.측시결과표명,진관월후적PVK층대응적PVK/Alq3쌍층기건발광성능병불시월호,단기건수명월장.원인시기건Alq3층내형성적Alq+3월소,인차기건은정성월호;이PVK/Alq3여NPB/Alq3쌍층기건수명적차이래자불동공혈전수층적제비공예화능급결구적불동.
