光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2008年
2期
161-163
,共3页
董茂军%陶春兰%张旭辉%欧谷平%张福甲
董茂軍%陶春蘭%張旭輝%歐穀平%張福甲
동무군%도춘란%장욱휘%구곡평%장복갑
有机场效应晶体管(OFET)%并五苯%迁移率%聚酰亚胺
有機場效應晶體管(OFET)%併五苯%遷移率%聚酰亞胺
유궤장효응정체관(OFET)%병오분%천이솔%취선아알
以真空蒸发的有机半导体材料并五苯为有源层,以旋涂的聚酰亚胺作为栅绝缘层,以真空蒸发的Al为栅、源和漏电极,成功制作了顶接触式并五苯有机场效应晶体管(OFET).测试表明,在源漏电压为70 V时,器件的载流子迁移率μ为0.079 cm2/V·s,器件的开关电流比为1.7×104.
以真空蒸髮的有機半導體材料併五苯為有源層,以鏇塗的聚酰亞胺作為柵絕緣層,以真空蒸髮的Al為柵、源和漏電極,成功製作瞭頂接觸式併五苯有機場效應晶體管(OFET).測試錶明,在源漏電壓為70 V時,器件的載流子遷移率μ為0.079 cm2/V·s,器件的開關電流比為1.7×104.
이진공증발적유궤반도체재료병오분위유원층,이선도적취선아알작위책절연층,이진공증발적Al위책、원화루전겁,성공제작료정접촉식병오분유궤장효응정체관(OFET).측시표명,재원루전압위70 V시,기건적재류자천이솔μ위0.079 cm2/V·s,기건적개관전류비위1.7×104.
