微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2008年
3期
33-36
,共4页
CMOS工艺%环形压控振荡器%调谐范围%相噪%功耗
CMOS工藝%環形壓控振盪器%調諧範圍%相譟%功耗
CMOS공예%배형압공진탕기%조해범위%상조%공모
提出了一种12管宽线性调谐范围低噪声低功耗的环形振荡器结构.电路设计采用0,18um的标准CMOS工艺,电源电压为1.8V.SpeetreRF仿真结果显示该环形振荡器在27.17MHz到2.062GHz的宽调谐范围内具有良好的线性度.在频率为900MHz、偏移频率为600kHz时,该环形振荡器的相位噪声为-111.1dBc/Hz,功耗为38mW.通过SpectreRF仿真与目前流行的环形振荡器进行比较,本文提出的环形振荡器结构简单、性能优越.
提齣瞭一種12管寬線性調諧範圍低譟聲低功耗的環形振盪器結構.電路設計採用0,18um的標準CMOS工藝,電源電壓為1.8V.SpeetreRF倣真結果顯示該環形振盪器在27.17MHz到2.062GHz的寬調諧範圍內具有良好的線性度.在頻率為900MHz、偏移頻率為600kHz時,該環形振盪器的相位譟聲為-111.1dBc/Hz,功耗為38mW.通過SpectreRF倣真與目前流行的環形振盪器進行比較,本文提齣的環形振盪器結構簡單、性能優越.
제출료일충12관관선성조해범위저조성저공모적배형진탕기결구.전로설계채용0,18um적표준CMOS공예,전원전압위1.8V.SpeetreRF방진결과현시해배형진탕기재27.17MHz도2.062GHz적관조해범위내구유량호적선성도.재빈솔위900MHz、편이빈솔위600kHz시,해배형진탕기적상위조성위-111.1dBc/Hz,공모위38mW.통과SpectreRF방진여목전류행적배형진탕기진행비교,본문제출적배형진탕기결구간단、성능우월.
