半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
3期
254-257
,共4页
深亚微米半导体器件%解析阈值电压模型%量子机制效应
深亞微米半導體器件%解析閾值電壓模型%量子機製效應
심아미미반도체기건%해석역치전압모형%양자궤제효응
随着器件尺寸的进一步减小,由量子效应导致的能带分裂对MOSFET中阈值电压特性的影响变得越来越重要.提出了一个包含量子效应(QME)的短沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)分析的阈值电压模型,该模型建立在求解包含量子校正的泊松方程的基础上.分析在泊松方程中考虑量子效应后建立的分析的阈值电压模型可知:随着器件尺寸的减小,由量子效应和短沟道效应引起的阈值电压的升高变得越来越严重.本模型的优点是没有引入额外的物理参数.
隨著器件呎吋的進一步減小,由量子效應導緻的能帶分裂對MOSFET中閾值電壓特性的影響變得越來越重要.提齣瞭一箇包含量子效應(QME)的短溝道金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)分析的閾值電壓模型,該模型建立在求解包含量子校正的泊鬆方程的基礎上.分析在泊鬆方程中攷慮量子效應後建立的分析的閾值電壓模型可知:隨著器件呎吋的減小,由量子效應和短溝道效應引起的閾值電壓的升高變得越來越嚴重.本模型的優點是沒有引入額外的物理參數.
수착기건척촌적진일보감소,유양자효응도치적능대분렬대MOSFET중역치전압특성적영향변득월래월중요.제출료일개포함양자효응(QME)적단구도금속양화물장효응정체관(MOSFET)분석적역치전압모형,해모형건립재구해포함양자교정적박송방정적기출상.분석재박송방정중고필양자효응후건립적분석적역치전압모형가지:수착기건척촌적감소,유양자효응화단구도효응인기적역치전압적승고변득월래월엄중.본모형적우점시몰유인입액외적물리삼수.
