高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2009年
5期
971-975
,共5页
张梁堂%宋杰%蔡敏真%徐富春%吴孙桃%董全峰
張樑堂%宋傑%蔡敏真%徐富春%吳孫桃%董全峰
장량당%송걸%채민진%서부춘%오손도%동전봉
铜钒氧化物薄膜%磁控溅射%阴极材料%电化学性能
銅釩氧化物薄膜%磁控濺射%陰極材料%電化學性能
동범양화물박막%자공천사%음겁재료%전화학성능
采用射频磁控溅射技术在硅基底上分别制备了无掺杂和掺杂Cu的氧化钒薄膜.X射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)观察表明,无掺杂的薄膜为多晶V2O5,掺杂Cu的薄膜为非晶态.X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明,掺杂Cu的薄膜为铜钒氧化物膜,其中Cu离子表现为+2价,V离子为+4与+5价的混合价态.随着Cu掺杂量的增大,+4价V的含量增加.电化学测试结果表明,V2O5[KG-*1/4]薄膜在掺杂Cu以后其放电容量有显著的提高,其中Cu2.1VO4.4薄膜在100次循环后容量还保持为83.4 μA·h·cm-2·μm-1,表现出较高的放电容量和较好的循环性能.
採用射頻磁控濺射技術在硅基底上分彆製備瞭無摻雜和摻雜Cu的氧化釩薄膜.X射線衍射(XRD)分析和掃描電子顯微鏡(SEM)觀察錶明,無摻雜的薄膜為多晶V2O5,摻雜Cu的薄膜為非晶態.X射線光電子能譜(XPS)分析結果錶明,摻雜Cu的薄膜為銅釩氧化物膜,其中Cu離子錶現為+2價,V離子為+4與+5價的混閤價態.隨著Cu摻雜量的增大,+4價V的含量增加.電化學測試結果錶明,V2O5[KG-*1/4]薄膜在摻雜Cu以後其放電容量有顯著的提高,其中Cu2.1VO4.4薄膜在100次循環後容量還保持為83.4 μA·h·cm-2·μm-1,錶現齣較高的放電容量和較好的循環性能.
채용사빈자공천사기술재규기저상분별제비료무참잡화참잡Cu적양화범박막.X사선연사(XRD)분석화소묘전자현미경(SEM)관찰표명,무참잡적박막위다정V2O5,참잡Cu적박막위비정태.X사선광전자능보(XPS)분석결과표명,참잡Cu적박막위동범양화물막,기중Cu리자표현위+2개,V리자위+4여+5개적혼합개태.수착Cu참잡량적증대,+4개V적함량증가.전화학측시결과표명,V2O5[KG-*1/4]박막재참잡Cu이후기방전용량유현저적제고,기중Cu2.1VO4.4박막재100차순배후용량환보지위83.4 μA·h·cm-2·μm-1,표현출교고적방전용량화교호적순배성능.
