电子设计工程
電子設計工程
전자설계공정
ELECTRONIC DESIGN ENGINEERING
2010年
3期
124-125,128
,共3页
王新舜%张存善%韩力英%杨振华
王新舜%張存善%韓力英%楊振華
왕신순%장존선%한력영%양진화
NAND Flash%ID号%AT89C51单片机%数码管
NAND Flash%ID號%AT89C51單片機%數碼管
NAND Flash%ID호%AT89C51단편궤%수마관
在深入了解Flash存储器的基础上,采用单片机自动检测存储器无效块.主要通过读取每一块的第1、第2页内容,判断该块的好坏,并给出具体的实现过程,以及部分关键的电路原理图和C语言程序代码.该设计最终实现单片机自动检测Flash坏块的功能,并通过读取ID号检测Flash的性能,同时该设计能够存储和读取1 GB数据.
在深入瞭解Flash存儲器的基礎上,採用單片機自動檢測存儲器無效塊.主要通過讀取每一塊的第1、第2頁內容,判斷該塊的好壞,併給齣具體的實現過程,以及部分關鍵的電路原理圖和C語言程序代碼.該設計最終實現單片機自動檢測Flash壞塊的功能,併通過讀取ID號檢測Flash的性能,同時該設計能夠存儲和讀取1 GB數據.
재심입료해Flash존저기적기출상,채용단편궤자동검측존저기무효괴.주요통과독취매일괴적제1、제2혈내용,판단해괴적호배,병급출구체적실현과정,이급부분관건적전로원리도화C어언정서대마.해설계최종실현단편궤자동검측Flash배괴적공능,병통과독취ID호검측Flash적성능,동시해설계능구존저화독취1 GB수거.
