固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
4期
375-379
,共5页
晶体振荡器%低功耗%高稳定度%宽电源电压
晶體振盪器%低功耗%高穩定度%寬電源電壓
정체진탕기%저공모%고은정도%관전원전압
基于0.6 μm CMOS混合信号工艺设计了一款高稳定度、宽电源电压范围的晶体振荡器芯片.该芯片片内集成具有优异频率响应的振荡器电容和反馈电阻,只需外接石英晶体即可提供高稳定时钟源.测试结果表明:芯片最高工作频率可达40 MHz；在振荡频率12 MHz、负载电容15 pF、电源电压从2.7V到5.5V变化时其频率随电源电压变化率小于1×10-6；电源电压为5V时芯片消耗总电流小于4 mA.
基于0.6 μm CMOS混閤信號工藝設計瞭一款高穩定度、寬電源電壓範圍的晶體振盪器芯片.該芯片片內集成具有優異頻率響應的振盪器電容和反饋電阻,隻需外接石英晶體即可提供高穩定時鐘源.測試結果錶明:芯片最高工作頻率可達40 MHz；在振盪頻率12 MHz、負載電容15 pF、電源電壓從2.7V到5.5V變化時其頻率隨電源電壓變化率小于1×10-6；電源電壓為5V時芯片消耗總電流小于4 mA.
기우0.6 μm CMOS혼합신호공예설계료일관고은정도、관전원전압범위적정체진탕기심편.해심편편내집성구유우이빈솔향응적진탕기전용화반궤전조,지수외접석영정체즉가제공고은정시종원.측시결과표명:심편최고공작빈솔가체40 MHz；재진탕빈솔12 MHz、부재전용15 pF、전원전압종2.7V도5.5V변화시기빈솔수전원전압변화솔소우1×10-6；전원전압위5V시심편소모총전류소우4 mA.
