微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2003年
10期
17-19
,共3页
异质结双极晶体管%台面%可靠性
異質結雙極晶體管%檯麵%可靠性
이질결쌍겁정체관%태면%가고성
对单台面SiGe HBT在E-B结反偏应力下直流特性的可靠性进行了研究.研究结果表明,随应力时间的增加,开启电压增加,直流电流增益下降,特别是在低E-B正偏电压时下降明显;而交流电流增益退化缓慢.
對單檯麵SiGe HBT在E-B結反偏應力下直流特性的可靠性進行瞭研究.研究結果錶明,隨應力時間的增加,開啟電壓增加,直流電流增益下降,特彆是在低E-B正偏電壓時下降明顯;而交流電流增益退化緩慢.
대단태면SiGe HBT재E-B결반편응력하직류특성적가고성진행료연구.연구결과표명,수응력시간적증가,개계전압증가,직류전류증익하강,특별시재저E-B정편전압시하강명현;이교류전류증익퇴화완만.
