固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2005年
4期
460-463
,共4页
李辉%洪伟%张斌%施江伟%铁宏安
李輝%洪偉%張斌%施江偉%鐵宏安
리휘%홍위%장빈%시강위%철굉안
赝配高电子迁移率晶体管%模型%ICCAP
贗配高電子遷移率晶體管%模型%ICCAP
안배고전자천이솔정체관%모형%ICCAP
针对南京电子器件研究所的PHEMT器件的特点,对Angelov模型进行了修正,并用ICCAP编写了模型的抽取程序,以南京电子器件研究所的400 μm栅宽、0.5 μm栅长的PHEMT器件为例,给出了直流及S参数的拟合结果.
針對南京電子器件研究所的PHEMT器件的特點,對Angelov模型進行瞭脩正,併用ICCAP編寫瞭模型的抽取程序,以南京電子器件研究所的400 μm柵寬、0.5 μm柵長的PHEMT器件為例,給齣瞭直流及S參數的擬閤結果.
침대남경전자기건연구소적PHEMT기건적특점,대Angelov모형진행료수정,병용ICCAP편사료모형적추취정서,이남경전자기건연구소적400 μm책관、0.5 μm책장적PHEMT기건위례,급출료직류급S삼수적의합결과.
