半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
z1期
196-199
,共4页
王亮兴%涂洁磊%张忠卫%池卫英%彭冬生%陈超奇%陈鸣波
王亮興%塗潔磊%張忠衛%池衛英%彭鼕生%陳超奇%陳鳴波
왕량흥%도길뢰%장충위%지위영%팽동생%진초기%진명파
Ge太阳电池%高效率%表面复合速率%器件工艺的改善
Ge太暘電池%高效率%錶麵複閤速率%器件工藝的改善
Ge태양전지%고효솔%표면복합속솔%기건공예적개선
从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响.结果表明:控制发射层的表面复合,并减薄其厚度可以提高开路电压Voc,并可以有效提高短路电流Isc;调整相应的器件工艺有利于填充因子FF的提高.采用上述改进措施,成功得到Voc达到287.5mV,Isc达到73.13mA/cm2,效率达到7.35%的Ge太阳电池.
從電池的結構參數及器件工藝等方麵分析瞭Ge底電池的開路電壓Voc、短路電流Isc和填充因子FF的影響.結果錶明:控製髮射層的錶麵複閤,併減薄其厚度可以提高開路電壓Voc,併可以有效提高短路電流Isc;調整相應的器件工藝有利于填充因子FF的提高.採用上述改進措施,成功得到Voc達到287.5mV,Isc達到73.13mA/cm2,效率達到7.35%的Ge太暘電池.
종전지적결구삼수급기건공예등방면분석료Ge저전지적개로전압Voc、단로전류Isc화전충인자FF적영향.결과표명:공제발사층적표면복합,병감박기후도가이제고개로전압Voc,병가이유효제고단로전류Isc;조정상응적기건공예유리우전충인자FF적제고.채용상술개진조시,성공득도Voc체도287.5mV,Isc체도73.13mA/cm2,효솔체도7.35%적Ge태양전지.
