固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
1期
138-141,148
,共5页
艾立(昆鸟)%徐安怀%孙浩%朱福英%齐鸣
艾立(昆鳥)%徐安懷%孫浩%硃福英%齊鳴
애립(곤조)%서안부%손호%주복영%제명
双异质结双极晶体管%气态源分子束外延%磷化铟%阶梯缓变集电区
雙異質結雙極晶體管%氣態源分子束外延%燐化銦%階梯緩變集電區
쌍이질결쌍겁정체관%기태원분자속외연%린화인%계제완변집전구
设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题.采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料.在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料.
設計併生長瞭一種新的InP/InGaAs/InP DHBT結構材料,採用在基區和集電區之間插入兩層不同禁帶寬度的InGaAsP四元繫材料的階梯緩變集電結結構,以解決InP/InGaAs/InP DHBT集電結導帶尖峰的電子阻擋效應問題.採用氣態源分子束外延(GSMBE)技術,通過優化生長條件,穫得瞭高質量的InP、InGaAs以及與InP晶格相匹配的不同禁帶寬度的InGaAsP外延材料.在此基礎上,成功地生長齣帶有階梯緩變集電區結構的InP基DHBT結構材料.
설계병생장료일충신적InP/InGaAs/InP DHBT결구재료,채용재기구화집전구지간삽입량층불동금대관도적InGaAsP사원계재료적계제완변집전결결구,이해결InP/InGaAs/InP DHBT집전결도대첨봉적전자조당효응문제.채용기태원분자속외연(GSMBE)기술,통과우화생장조건,획득료고질량적InP、InGaAs이급여InP정격상필배적불동금대관도적InGaAsP외연재료.재차기출상,성공지생장출대유계제완변집전구결구적InP기DHBT결구재료.
