半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
12期
923-928
,共6页
刘利宾%刘玉岭%王胜利%林娜娜%杨立兵
劉利賓%劉玉嶺%王勝利%林娜娜%楊立兵
류리빈%류옥령%왕성리%림나나%양립병
NiP/Al基板%SiO2磨料%单因素法%化学机械抛光(CMP)%粗糙度%去除速率
NiP/Al基闆%SiO2磨料%單因素法%化學機械拋光(CMP)%粗糙度%去除速率
NiP/Al기판%SiO2마료%단인소법%화학궤계포광(CMP)%조조도%거제속솔
针对硬盘NiP/Al基板粗抛光,采用SiO2作为抛光磨料的碱性抛光液,在不同压力、转速、pH值、磨料浓度和活性剂体积浓度下,对硬盘基板粗抛光的去除速率和表面粗糙度的变化规律进行研究,用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌.最后对5个关键参数进行了优化.结果表明:当压力为0.10 MPa,转速为80 rad/min,pH值为11.2,磨料与去离子水体积比为1∶0.5,表面活性剂体积浓度为9 mL/L时,硬盘基板的去除速率为27 mg/min,粗抛后表面粗糙度为0.281 nm,获得了高的去除速率和较好的表面粗糙度,这样会大大降低精抛的时间,有利于抛光效率的提高.
針對硬盤NiP/Al基闆粗拋光,採用SiO2作為拋光磨料的堿性拋光液,在不同壓力、轉速、pH值、磨料濃度和活性劑體積濃度下,對硬盤基闆粗拋光的去除速率和錶麵粗糙度的變化規律進行研究,用原子力顯微鏡觀察拋光錶麵的微觀形貌.最後對5箇關鍵參數進行瞭優化.結果錶明:噹壓力為0.10 MPa,轉速為80 rad/min,pH值為11.2,磨料與去離子水體積比為1∶0.5,錶麵活性劑體積濃度為9 mL/L時,硬盤基闆的去除速率為27 mg/min,粗拋後錶麵粗糙度為0.281 nm,穫得瞭高的去除速率和較好的錶麵粗糙度,這樣會大大降低精拋的時間,有利于拋光效率的提高.
침대경반NiP/Al기판조포광,채용SiO2작위포광마료적감성포광액,재불동압력、전속、pH치、마료농도화활성제체적농도하,대경반기판조포광적거제속솔화표면조조도적변화규률진행연구,용원자력현미경관찰포광표면적미관형모.최후대5개관건삼수진행료우화.결과표명:당압력위0.10 MPa,전속위80 rad/min,pH치위11.2,마료여거리자수체적비위1∶0.5,표면활성제체적농도위9 mL/L시,경반기판적거제속솔위27 mg/min,조포후표면조조도위0.281 nm,획득료고적거제속솔화교호적표면조조도,저양회대대강저정포적시간,유리우포광효솔적제고.
