半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
2期
135-137,158
,共4页
频率源%低相位噪声%倍频%锁相环%高频鉴相
頻率源%低相位譟聲%倍頻%鎖相環%高頻鑒相
빈솔원%저상위조성%배빈%쇄상배%고빈감상
通过对微波频率源相位噪声的分析,针对一个C波段微波频率源低相位噪声的要求,对比分析了直接倍频、数字锁相以及高频鉴相之后再倍频三种方案之间的相位噪声差别.最终得出采用直接在超高频(UHF)波段对输入信号进行模拟鉴相并锁定之后再倍频才能达到所要求的相位噪声指标.对制成的样品进行了测试,取得了预期的相位噪声指标.该C波段微波频率源的相位噪声可以达到:≤- 120 dBc/Hz@1 kHz,≤- 125 dBc/Hz@ 10 kHz,≤- 130dBc/Hz@100kHz,≤- 140 dBc/Hz@1 MHz.直接在UHF波段进行高频鉴相的技术,通过提高鉴相频率大幅降低了微波锁相频率源的相位噪声.
通過對微波頻率源相位譟聲的分析,針對一箇C波段微波頻率源低相位譟聲的要求,對比分析瞭直接倍頻、數字鎖相以及高頻鑒相之後再倍頻三種方案之間的相位譟聲差彆.最終得齣採用直接在超高頻(UHF)波段對輸入信號進行模擬鑒相併鎖定之後再倍頻纔能達到所要求的相位譟聲指標.對製成的樣品進行瞭測試,取得瞭預期的相位譟聲指標.該C波段微波頻率源的相位譟聲可以達到:≤- 120 dBc/Hz@1 kHz,≤- 125 dBc/Hz@ 10 kHz,≤- 130dBc/Hz@100kHz,≤- 140 dBc/Hz@1 MHz.直接在UHF波段進行高頻鑒相的技術,通過提高鑒相頻率大幅降低瞭微波鎖相頻率源的相位譟聲.
통과대미파빈솔원상위조성적분석,침대일개C파단미파빈솔원저상위조성적요구,대비분석료직접배빈、수자쇄상이급고빈감상지후재배빈삼충방안지간적상위조성차별.최종득출채용직접재초고빈(UHF)파단대수입신호진행모의감상병쇄정지후재배빈재능체도소요구적상위조성지표.대제성적양품진행료측시,취득료예기적상위조성지표.해C파단미파빈솔원적상위조성가이체도:≤- 120 dBc/Hz@1 kHz,≤- 125 dBc/Hz@ 10 kHz,≤- 130dBc/Hz@100kHz,≤- 140 dBc/Hz@1 MHz.직접재UHF파단진행고빈감상적기술,통과제고감상빈솔대폭강저료미파쇄상빈솔원적상위조성.
