厦门大学学报(自然科学版)
廈門大學學報(自然科學版)
하문대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF XIAMEN UNIVERSITY
2004年
3期
326-330
,共5页
林顺勇%高玉琳%吕毅军%郑健生%刘国坤
林順勇%高玉琳%呂毅軍%鄭健生%劉國坤
림순용%고옥림%려의군%정건생%류국곤
喇曼散射%无序效应%应变效应%Ⅲ-V-N半导体
喇曼散射%無序效應%應變效應%Ⅲ-V-N半導體
나만산사%무서효응%응변효응%Ⅲ-V-N반도체
室温下采用背散射几何配置,在近共振条件下测量GaAs1-xNx混晶的喇曼散射谱.由于N原子的引入,导致类GaAs的LO1、TO1声子和类GaN的LO2声子线宽变大,禁戒的TO1声子变为喇曼活性;随着N组分的增加,TO1声子强度增大、LO1声子有红移的趋势、LO2声子有蓝移的趋势,根据它们随N组分x移动的速度推断出样品不存在应变效应.另外还讨论了布里渊区边界声子LA(L)与LO(L)、二级喇曼散射谱声子LO2、LO1+LA1(L)以及2LO1随N组分x增大的变化趋势.
室溫下採用揹散射幾何配置,在近共振條件下測量GaAs1-xNx混晶的喇曼散射譜.由于N原子的引入,導緻類GaAs的LO1、TO1聲子和類GaN的LO2聲子線寬變大,禁戒的TO1聲子變為喇曼活性;隨著N組分的增加,TO1聲子彊度增大、LO1聲子有紅移的趨勢、LO2聲子有藍移的趨勢,根據它們隨N組分x移動的速度推斷齣樣品不存在應變效應.另外還討論瞭佈裏淵區邊界聲子LA(L)與LO(L)、二級喇曼散射譜聲子LO2、LO1+LA1(L)以及2LO1隨N組分x增大的變化趨勢.
실온하채용배산사궤하배치,재근공진조건하측량GaAs1-xNx혼정적나만산사보.유우N원자적인입,도치류GaAs적LO1、TO1성자화류GaN적LO2성자선관변대,금계적TO1성자변위나만활성;수착N조분적증가,TO1성자강도증대、LO1성자유홍이적추세、LO2성자유람이적추세,근거타문수N조분x이동적속도추단출양품불존재응변효응.령외환토론료포리연구변계성자LA(L)여LO(L)、이급나만산사보성자LO2、LO1+LA1(L)이급2LO1수N조분x증대적변화추세.
