CdSe核辐射探测器中的MIS接触电极
CdSe핵복사탐측기중적MIS접촉전겁
MIS Contacts in CdSe Nuclear Radiation Detectors
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2004年 10期 1301-1305 ,共5页

    金应荣%朱世富%赵北君%陈松林%何福庆

    금응영%주세부%조북군%진송림%하복경

    CdSe探测器%漏电流%MIS接触电极 CdSe探測器%漏電流%MIS接觸電極
    CdSe탐측기%루전류%MIS접촉전겁
    对MIS(金属-绝缘体-半导体)接触电极的特性进行了系统的分析和实验观察.结果表明,负极的电子可以通过表面能级和热激发注入到CdSe晶片中,且晶片表面的电子能级密度越高,电子注入就越快,探测器的漏电流也越大.对探测器进行适当的热处理,可以降低表面能级密度,从而抑制电子注入,降低探测器的漏电流,改善探测器的能量分辨率.
    대MIS(금속-절연체-반도체)접촉전겁적특성진행료계통적분석화실험관찰.결과표명,부겁적전자가이통과표면능급화열격발주입도CdSe정편중,차정편표면적전자능급밀도월고,전자주입취월쾌,탐측기적루전류야월대.대탐측기진행괄당적열처리,가이강저표면능급밀도,종이억제전자주입,강저탐측기적루전류,개선탐측기적능량분변솔.
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