中国科学技术大学学报
中國科學技術大學學報
중국과학기술대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2005年
5期
595-600
,共6页
李垚%刘嵘侃%傅湘宁%徐婉静
李垚%劉嶸侃%傅湘寧%徐婉靜
리요%류영간%부상저%서완정
硅锗%异质结双极晶体管%能量传输模型%电子温度
硅鍺%異質結雙極晶體管%能量傳輸模型%電子溫度
규타%이질결쌍겁정체관%능량전수모형%전자온도
针对用传统的漂移扩散模型分析小尺寸SiGe HBT的局限性,采用新的能量传输模型.通过分析建立了小尺寸SiGe HBT(考虑Ge含量)的玻尔兹曼方程,得到不同区域电子温度的分布;并比较了不同基区宽度、不同Ge梯度下的电子温度曲线.结果发现在基区很薄的情况下,电子从基区向集电区渡越时,其温度逐渐升高,且大大高于晶格温度,且不同基区宽度基区电子温度变化率不同.
針對用傳統的漂移擴散模型分析小呎吋SiGe HBT的跼限性,採用新的能量傳輸模型.通過分析建立瞭小呎吋SiGe HBT(攷慮Ge含量)的玻爾玆曼方程,得到不同區域電子溫度的分佈;併比較瞭不同基區寬度、不同Ge梯度下的電子溫度麯線.結果髮現在基區很薄的情況下,電子從基區嚮集電區渡越時,其溫度逐漸升高,且大大高于晶格溫度,且不同基區寬度基區電子溫度變化率不同.
침대용전통적표이확산모형분석소척촌SiGe HBT적국한성,채용신적능량전수모형.통과분석건립료소척촌SiGe HBT(고필Ge함량)적파이자만방정,득도불동구역전자온도적분포;병비교료불동기구관도、불동Ge제도하적전자온도곡선.결과발현재기구흔박적정황하,전자종기구향집전구도월시,기온도축점승고,차대대고우정격온도,차불동기구관도기구전자온도변화솔불동.
