材料保护
材料保護
재료보호
MATERIALS PROTECTION
2006年
7期
12-16
,共5页
等离子增强型化学气相沉积%氮化硅%薄膜性能
等離子增彊型化學氣相沉積%氮化硅%薄膜性能
등리자증강형화학기상침적%담화규%박막성능
等离子增强型化学气相沉积(PECVD)氮化硅技术是目前半导体器件在合金化后低温生长氮化硅的唯一方法.研究了由进口PECVD设备制备的氮化硅薄膜性质与沉积条件的关系,测定了生成膜的各种物理化学性能,详细探讨了各种沉积参数对薄膜性能的影响,提出了沉积优质氮化硅薄膜的工艺条件.
等離子增彊型化學氣相沉積(PECVD)氮化硅技術是目前半導體器件在閤金化後低溫生長氮化硅的唯一方法.研究瞭由進口PECVD設備製備的氮化硅薄膜性質與沉積條件的關繫,測定瞭生成膜的各種物理化學性能,詳細探討瞭各種沉積參數對薄膜性能的影響,提齣瞭沉積優質氮化硅薄膜的工藝條件.
등리자증강형화학기상침적(PECVD)담화규기술시목전반도체기건재합금화후저온생장담화규적유일방법.연구료유진구PECVD설비제비적담화규박막성질여침적조건적관계,측정료생성막적각충물이화학성능,상세탐토료각충침적삼수대박막성능적영향,제출료침적우질담화규박막적공예조건.
