物理学报
物理學報
물이학보
2007年
7期
4224-4228
,共5页
张祖发%张胤%冯洁%蔡燕飞%林殷茵%蔡炳初%汤庭鳌%Bomy Chen
張祖髮%張胤%馮潔%蔡燕飛%林慇茵%蔡炳初%湯庭鼇%Bomy Chen
장조발%장윤%풍길%채연비%림은인%채병초%탕정오%Bomy Chen
相变存储器%硫系化合物%Si掺杂Sb2Te3薄膜%SET/RESET转变
相變存儲器%硫繫化閤物%Si摻雜Sb2Te3薄膜%SET/RESET轉變
상변존저기%류계화합물%Si참잡Sb2Te3박막%SET/RESET전변
采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×1Oμm的存储器件原型来研究器件性能.研究表明,Si掺杂提高了Sb2Te3薄膜的晶化温度以及薄膜的晶态和非晶态电阻率,使得其非晶态与晶态电阻率之比达到106,提高了器件的电阻开/关比;同Ge2Sb2Te5薄膜相比,16at%Si掺杂Sb2Te3薄膜具有较低的熔点和更高的晶态电阻率,这有利于降低器件的RESET电流.研究还表明,采用16at%Si掺杂Sb2Te3薄膜作为存储介质的存储器器件原型具有记忆开关特性,可以在脉高3V、脉宽500 ns的电脉冲下实现SET操作,在脉高4 V、脉宽20 ns的电脉冲下实现RESET操作,并能实现反复写/擦,而采用Ge2Sb2Te5薄膜的相同结构的器件不能实现RESET操作.
採用磁控三靶(Si,Sb及Te)共濺射法製備瞭Si摻雜Sb2Te3薄膜,作為對比,製備瞭Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,併且採用微加工工藝製備瞭單元呎吋為10μm×1Oμm的存儲器件原型來研究器件性能.研究錶明,Si摻雜提高瞭Sb2Te3薄膜的晶化溫度以及薄膜的晶態和非晶態電阻率,使得其非晶態與晶態電阻率之比達到106,提高瞭器件的電阻開/關比;同Ge2Sb2Te5薄膜相比,16at%Si摻雜Sb2Te3薄膜具有較低的鎔點和更高的晶態電阻率,這有利于降低器件的RESET電流.研究還錶明,採用16at%Si摻雜Sb2Te3薄膜作為存儲介質的存儲器器件原型具有記憶開關特性,可以在脈高3V、脈寬500 ns的電脈遲下實現SET操作,在脈高4 V、脈寬20 ns的電脈遲下實現RESET操作,併能實現反複寫/抆,而採用Ge2Sb2Te5薄膜的相同結構的器件不能實現RESET操作.
채용자공삼파(Si,Sb급Te)공천사법제비료Si참잡Sb2Te3박막,작위대비,제비료Ge2Sb2Te5화Sb2Te3박막,병차채용미가공공예제비료단원척촌위10μm×1Oμm적존저기건원형래연구기건성능.연구표명,Si참잡제고료Sb2Te3박막적정화온도이급박막적정태화비정태전조솔,사득기비정태여정태전조솔지비체도106,제고료기건적전조개/관비;동Ge2Sb2Te5박막상비,16at%Si참잡Sb2Te3박막구유교저적용점화경고적정태전조솔,저유리우강저기건적RESET전류.연구환표명,채용16at%Si참잡Sb2Te3박막작위존저개질적존저기기건원형구유기억개관특성,가이재맥고3V、맥관500 ns적전맥충하실현SET조작,재맥고4 V、맥관20 ns적전맥충하실현RESET조작,병능실현반복사/찰,이채용Ge2Sb2Te5박막적상동결구적기건불능실현RESET조작.
