电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2007年
8期
55-58
,共4页
张冲%肖芬%邱虹%熊兆贤
張遲%肖芬%邱虹%熊兆賢
장충%초분%구홍%웅조현
无机非金属材料%微波介电性能%Ba5(Nb1-xSbx)4O15%低温共烧(LTCC)
無機非金屬材料%微波介電性能%Ba5(Nb1-xSbx)4O15%低溫共燒(LTCC)
무궤비금속재료%미파개전성능%Ba5(Nb1-xSbx)4O15%저온공소(LTCC)
添加质量分数为1 %的H3BO3为助烧剂.研究了Ba5(Nb1-xSbx)4O15 (0≤x≤0.2)陶瓷的烧结特性、显微结构和微波介电性能.结果表明:当x≤0.15时,该类陶瓷可在900 ℃附近烧结,并伴有少量BaSb2O6和BaB2O4相;随着x从0增加到0.2,εr和τf均有较大幅度下降;Q·f先升后降.在900 ℃烧成温度下,x为0.15的陶瓷获得较好的微波介电性能:εr 为29.21, Q·f 为13 266 GHz, τf 为11×10-6 ℃-1,并能与Ag电极很好相容,基本满足LTCC工艺的要求.
添加質量分數為1 %的H3BO3為助燒劑.研究瞭Ba5(Nb1-xSbx)4O15 (0≤x≤0.2)陶瓷的燒結特性、顯微結構和微波介電性能.結果錶明:噹x≤0.15時,該類陶瓷可在900 ℃附近燒結,併伴有少量BaSb2O6和BaB2O4相;隨著x從0增加到0.2,εr和τf均有較大幅度下降;Q·f先升後降.在900 ℃燒成溫度下,x為0.15的陶瓷穫得較好的微波介電性能:εr 為29.21, Q·f 為13 266 GHz, τf 為11×10-6 ℃-1,併能與Ag電極很好相容,基本滿足LTCC工藝的要求.
첨가질량분수위1 %적H3BO3위조소제.연구료Ba5(Nb1-xSbx)4O15 (0≤x≤0.2)도자적소결특성、현미결구화미파개전성능.결과표명:당x≤0.15시,해류도자가재900 ℃부근소결,병반유소량BaSb2O6화BaB2O4상;수착x종0증가도0.2,εr화τf균유교대폭도하강;Q·f선승후강.재900 ℃소성온도하,x위0.15적도자획득교호적미파개전성능:εr 위29.21, Q·f 위13 266 GHz, τf 위11×10-6 ℃-1,병능여Ag전겁흔호상용,기본만족LTCC공예적요구.
