人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2009年
2期
317-320
,共4页
杨少鹏%邱晓丽%赵方超%秦向东%庞学霞%傅广生
楊少鵬%邱曉麗%趙方超%秦嚮東%龐學霞%傅廣生
양소붕%구효려%조방초%진향동%방학하%부엄생
磷光%有机电致发光%ZnO
燐光%有機電緻髮光%ZnO
린광%유궤전치발광%ZnO
以无机纳米颗粒ZnO作为电子传输材料,并以不同质量比掺杂到PVK∶ Ir(ppy)3体系作为发光层制成一系列磷光器件,器件结构为:ITO/PVK∶ Ir(ppy)3∶ ZnO(100∶ 1∶ x)/ BCP/Alq3/Al, ZnO的掺杂浓度x分别为0%,1%,2%,5%,10%,研究了它们的电致发光特性.结果表明:合适比例ZnO掺杂可以改善器件的发光特性,ZnO的最佳掺杂量为1%,此时器件的相对发光强度是未掺杂的器件的4倍,器件的启亮电压也由未掺杂时的15.5 V降到了10.5 V.当掺杂浓度较大时,电子传输过多在电极另一侧形成漏电流,没有在发光层内进行电子与空穴有效复合,没有对发光起到作用,导致器件的发光性能下降.
以無機納米顆粒ZnO作為電子傳輸材料,併以不同質量比摻雜到PVK∶ Ir(ppy)3體繫作為髮光層製成一繫列燐光器件,器件結構為:ITO/PVK∶ Ir(ppy)3∶ ZnO(100∶ 1∶ x)/ BCP/Alq3/Al, ZnO的摻雜濃度x分彆為0%,1%,2%,5%,10%,研究瞭它們的電緻髮光特性.結果錶明:閤適比例ZnO摻雜可以改善器件的髮光特性,ZnO的最佳摻雜量為1%,此時器件的相對髮光彊度是未摻雜的器件的4倍,器件的啟亮電壓也由未摻雜時的15.5 V降到瞭10.5 V.噹摻雜濃度較大時,電子傳輸過多在電極另一側形成漏電流,沒有在髮光層內進行電子與空穴有效複閤,沒有對髮光起到作用,導緻器件的髮光性能下降.
이무궤납미과립ZnO작위전자전수재료,병이불동질량비참잡도PVK∶ Ir(ppy)3체계작위발광층제성일계렬린광기건,기건결구위:ITO/PVK∶ Ir(ppy)3∶ ZnO(100∶ 1∶ x)/ BCP/Alq3/Al, ZnO적참잡농도x분별위0%,1%,2%,5%,10%,연구료타문적전치발광특성.결과표명:합괄비례ZnO참잡가이개선기건적발광특성,ZnO적최가참잡량위1%,차시기건적상대발광강도시미참잡적기건적4배,기건적계량전압야유미참잡시적15.5 V강도료10.5 V.당참잡농도교대시,전자전수과다재전겁령일측형성루전류,몰유재발광층내진행전자여공혈유효복합,몰유대발광기도작용,도치기건적발광성능하강.
