光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2009年
8期
1937-1941
,共5页
吴雷学%汪韬%王警卫%李晓婷%景争%尹飞%梅书刚
吳雷學%汪韜%王警衛%李曉婷%景爭%尹飛%梅書剛
오뢰학%왕도%왕경위%리효정%경쟁%윤비%매서강
超晶格%金属有机源化学气相沉积%界面层%表面形貌
超晶格%金屬有機源化學氣相沉積%界麵層%錶麵形貌
초정격%금속유궤원화학기상침적%계면층%표면형모
采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料特性进行了表征,获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料,在77 K下得到光致发光谱峰值波长为3.25 μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影响,得出生长温度在500 ℃～520 ℃,无过渡层,使用InAsSb界面层有利于改善材料的表面形貌.
採用自製低壓金屬有機源化學氣相沉積設備,在(100)麵GaSb單晶襯底上生長瞭Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用雙晶X射線衍射、光學顯微鏡、原子力顯微鏡和光緻髮光譜等分析手段對材料特性進行瞭錶徵,穫得瞭錶麵光亮的晶體質量較好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料,在77 K下得到光緻髮光譜峰值波長為3.25 μm.研究瞭生長溫度、過渡層、界麵層對其錶麵形貌的影響,得齣生長溫度在500 ℃～520 ℃,無過渡層,使用InAsSb界麵層有利于改善材料的錶麵形貌.
채용자제저압금속유궤원화학기상침적설비,재(100)면GaSb단정츤저상생장료Ⅱ형InAs/GaSb초정격재료.이용쌍정X사선연사、광학현미경、원자력현미경화광치발광보등분석수단대재료특성진행료표정,획득료표면광량적정체질량교호적Ⅱ형InAs/GaSb초정격재료,재77 K하득도광치발광보봉치파장위3.25 μm.연구료생장온도、과도층、계면층대기표면형모적영향,득출생장온도재500 ℃～520 ℃,무과도층,사용InAsSb계면층유리우개선재료적표면형모.
