沈阳理工大学学报
瀋暘理工大學學報
침양리공대학학보
JOURNAL OF SHENYANG INTITUTE OF TECHNOLOGY
2010年
4期
9-12,21
,共5页
微机电系统%双材料悬臂梁%焦平面阵列
微機電繫統%雙材料懸臂樑%焦平麵陣列
미궤전계통%쌍재료현비량%초평면진렬
提出一种基于MEMS工艺弯折双材料悬臂梁结构的电容式非制冷红外焦平面成像阵列(FPA, Focal Plate Array).并利用软件CoventorWare对器件的物理学特性进行有限元模拟分析.发现FPA的温度响应度和位移响应度与辐射能量呈线性关系;得到热时间常数、位移、温度灵敏度与铝膜与二氧化硅厚度比的关系,并得出当比率为0.5～0.6时位移响应最大, 100μm×100μm和50μm×50μm两种尺寸器件的位移灵敏度峰值分别为0.061nm/pW·μm-2和0.008nm/pW·μm-2;随着器件尺寸的增大,其探测能力增强,瞬态响应降低;计算了吸收面与探测极板间的吸合附电压,得到100μm×100μm面板的吸附电压为3.625V～3.750V之间,50μm×50μm面板的吸附电压为10.250V～10.375V之间,以及器件尺寸与吸附电压间的关系.
提齣一種基于MEMS工藝彎摺雙材料懸臂樑結構的電容式非製冷紅外焦平麵成像陣列(FPA, Focal Plate Array).併利用軟件CoventorWare對器件的物理學特性進行有限元模擬分析.髮現FPA的溫度響應度和位移響應度與輻射能量呈線性關繫;得到熱時間常數、位移、溫度靈敏度與鋁膜與二氧化硅厚度比的關繫,併得齣噹比率為0.5～0.6時位移響應最大, 100μm×100μm和50μm×50μm兩種呎吋器件的位移靈敏度峰值分彆為0.061nm/pW·μm-2和0.008nm/pW·μm-2;隨著器件呎吋的增大,其探測能力增彊,瞬態響應降低;計算瞭吸收麵與探測極闆間的吸閤附電壓,得到100μm×100μm麵闆的吸附電壓為3.625V～3.750V之間,50μm×50μm麵闆的吸附電壓為10.250V～10.375V之間,以及器件呎吋與吸附電壓間的關繫.
제출일충기우MEMS공예만절쌍재료현비량결구적전용식비제랭홍외초평면성상진렬(FPA, Focal Plate Array).병이용연건CoventorWare대기건적물이학특성진행유한원모의분석.발현FPA적온도향응도화위이향응도여복사능량정선성관계;득도열시간상수、위이、온도령민도여려막여이양화규후도비적관계,병득출당비솔위0.5～0.6시위이향응최대, 100μm×100μm화50μm×50μm량충척촌기건적위이령민도봉치분별위0.061nm/pW·μm-2화0.008nm/pW·μm-2;수착기건척촌적증대,기탐측능력증강,순태향응강저;계산료흡수면여탐측겁판간적흡합부전압,득도100μm×100μm면판적흡부전압위3.625V～3.750V지간,50μm×50μm면판적흡부전압위10.250V～10.375V지간,이급기건척촌여흡부전압간적관계.
