CAJ | 학술논문

在室温、10 Pa氩气环境下,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,通过改变激光能量密度,在烧蚀点正下方、与烧蚀羽辉轴线平行放置的衬底上沉积制备了一系列纳米Si晶薄膜.采用SEM、Raman散射谱和XRD对纳米Si晶薄膜进行了表征.结果表明:沉积在衬底上的纳米Si晶粒分布在距靶一定的范围内,晶粒尺寸随与靶面距离的增加先增大后减小；随着激光能量密度的增加,晶粒在衬底上的沉积范围双向展宽,但沉积所得最大晶粒尺寸基本保持不变,只是沉积位置随激光能量密度的增加相应后移.结合流体力学模型、成核分区模型和热动力学方程,通过模拟激光烧蚀靶材的动力学过程,对纳米Si晶粒的成核生长动力学过程进行了研究.
재실온、10 Pa아기배경하,채용맥충격광소식(PLA)기술,통과개변격광능량밀도,재소식점정하방、여소식우휘축선평행방치적츤저상침적제비료일계렬납미Si정박막.채용SEM、Raman산사보화XRD대납미Si정박막진행료표정.결과표명:침적재츤저상적납미Si정립분포재거파일정적범위내,정립척촌수여파면거리적증가선증대후감소；수착격광능량밀도적증가,정립재츤저상적침적범위쌍향전관,단침적소득최대정립척촌기본보지불변,지시침적위치수격광능량밀도적증가상응후이.결합류체역학모형、성핵분구모형화열동역학방정,통과모의격광소식파재적동역학과정,대납미Si정립적성핵생장동역학과정진행료연구.