半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
6期
433-436
,共4页
推-推式压控搌荡器%奇偶模%微波单片集成电路%相位噪声%S参数
推-推式壓控搌盪器%奇偶模%微波單片集成電路%相位譟聲%S參數
추-추식압공전탕기%기우모%미파단편집성전로%상위조성%S삼수
基于InGaP-GaAs HBT工艺设计了一款Ku波段推-推式压控振荡器(vCO)微波单片集成电路( MMIC).采用改进的虚地反馈法对基本振荡单元的奇偶模进行了分析,用谐波平衡法对相位噪声和输出功率进行了优化设计.用ADS软件完成了原理图和电磁场仿真,用Candence Virtuoso完成了版图设计.此VCO MMIC频率覆盖14.5～15 GHz,在2.2 mm ×1.2 mm的面积内集成了变容二极管、谐振电路、负阻产生电路,具有体积小、成本低、相位噪声低等特点.在4.2V单电源电压下,其静态电流为150mA,典型输出功率为10 dBm,频偏为100kHz时的单边带相位噪声为- 105 dBc/Hz.
基于InGaP-GaAs HBT工藝設計瞭一款Ku波段推-推式壓控振盪器(vCO)微波單片集成電路( MMIC).採用改進的虛地反饋法對基本振盪單元的奇偶模進行瞭分析,用諧波平衡法對相位譟聲和輸齣功率進行瞭優化設計.用ADS軟件完成瞭原理圖和電磁場倣真,用Candence Virtuoso完成瞭版圖設計.此VCO MMIC頻率覆蓋14.5～15 GHz,在2.2 mm ×1.2 mm的麵積內集成瞭變容二極管、諧振電路、負阻產生電路,具有體積小、成本低、相位譟聲低等特點.在4.2V單電源電壓下,其靜態電流為150mA,典型輸齣功率為10 dBm,頻偏為100kHz時的單邊帶相位譟聲為- 105 dBc/Hz.
기우InGaP-GaAs HBT공예설계료일관Ku파단추-추식압공진탕기(vCO)미파단편집성전로( MMIC).채용개진적허지반궤법대기본진탕단원적기우모진행료분석,용해파평형법대상위조성화수출공솔진행료우화설계.용ADS연건완성료원리도화전자장방진,용Candence Virtuoso완성료판도설계.차VCO MMIC빈솔복개14.5～15 GHz,재2.2 mm ×1.2 mm적면적내집성료변용이겁관、해진전로、부조산생전로,구유체적소、성본저、상위조성저등특점.재4.2V단전원전압하,기정태전류위150mA,전형수출공솔위10 dBm,빈편위100kHz시적단변대상위조성위- 105 dBc/Hz.
