电路与系统学报
電路與繫統學報
전로여계통학보
JOURNAL OF CIRCUITS AND SYSTEMS
2012年
4期
13-17,22
,共6页
雷奇%何松柏%董磊%游飞
雷奇%何鬆柏%董磊%遊飛
뢰기%하송백%동뢰%유비
功率放大器%谐波控制%微带%拓扑%高效率
功率放大器%諧波控製%微帶%拓撲%高效率
공솔방대기%해파공제%미대%탁복%고효솔
本文提出了一种新型的F类高效率功率放大器微带匹配拓扑.该拓扑简单紧凑且考虑了功率三极管输出端寄生效应,使得F类设计理论分析更贴合实际.基于提出的拓扑结构,采用商用10W GaN HEMT(Gallium-Nitrogen High Electron Mobility Transistor)进行了仿真与硬件实现.测试结果表明:当漏极偏置27V,工作频率2.995GHz时,实测输出功率为37.3dBm,功率附加效率为72.9%.在15~30V的偏置范围内,漏极调制效率达到68.9%以上.实测与仿真结果的吻合,很好的验证了拓扑的可行性.
本文提齣瞭一種新型的F類高效率功率放大器微帶匹配拓撲.該拓撲簡單緊湊且攷慮瞭功率三極管輸齣耑寄生效應,使得F類設計理論分析更貼閤實際.基于提齣的拓撲結構,採用商用10W GaN HEMT(Gallium-Nitrogen High Electron Mobility Transistor)進行瞭倣真與硬件實現.測試結果錶明:噹漏極偏置27V,工作頻率2.995GHz時,實測輸齣功率為37.3dBm,功率附加效率為72.9%.在15~30V的偏置範圍內,漏極調製效率達到68.9%以上.實測與倣真結果的吻閤,很好的驗證瞭拓撲的可行性.
본문제출료일충신형적F류고효솔공솔방대기미대필배탁복.해탁복간단긴주차고필료공솔삼겁관수출단기생효응,사득F류설계이론분석경첩합실제.기우제출적탁복결구,채용상용10W GaN HEMT(Gallium-Nitrogen High Electron Mobility Transistor)진행료방진여경건실현.측시결과표명:당루겁편치27V,공작빈솔2.995GHz시,실측수출공솔위37.3dBm,공솔부가효솔위72.9%.재15~30V적편치범위내,루겁조제효솔체도68.9%이상.실측여방진결과적문합,흔호적험증료탁복적가행성.